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NEXPERIA NX3020NAKW,115 48HRS

N-Channel 30 V 180mA (Ta) 260mW (Ta), 1.1W (Tc) Surface Mount SOT-323

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: Nexperia

제조업체부품 #: NX3020NAKW,115

데이터 시트: NX3020NAKW,115 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT-323-3

RoHS 상태:

재고상태: 9458 PC, 새로운 원본

상품 유형: MOSFET

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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NX3020NAKW,115 일반적인 설명

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

특징

  • Very fast switching
  • Trench MOSFET technology
  • ESD protection
  • Low threshold voltage

애플리케이션

  • Relay driver
  • High-speed line driver
  • Low-side load switch
  • Switching circuits
Nexperia Inventory

명세서

매개변수 매개변수
Manufacturer: Nexperia Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SOT-323-3
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V Id - Continuous Drain Current: 180 mA
Rds On - Drain-Source Resistance: 4.5 Ohms Vgs - Gate-Source Voltage: - 10 V, + 10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 800 mV Qg - Gate Charge: 340 pC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 300 mW Channel Mode: Enhancement
Packaging: MouseReel Brand: Nexperia
Product Type: MOSFET Factory Pack Quantity: 3000
Subcategory: MOSFETs Part # Aliases: 934067071115
Unit Weight: 0.000212 oz Product Status Active
FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.44 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max) 260mW (Ta), 1.1W (Tc) Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package SOT-323
Package / Case SC-70, SOT-323

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