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NTZD3155CT1G

Name: NTZD3155CT1G
Rating: 4.5 (10 reviews)

MOSFET 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD

브랜드: onsemi

제조업체부품 #: NTZD3155CT1G

데이터 시트: NTZD3155CT1G 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT-563,SOT-666

RoHS 상태:

재고상태: 6,517 PC, 새로운 원본

상품 유형: FET, MOSFET Arrays

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

가격

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수량	단가	추가 가격
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50	$0.081	$4.050
150	$0.075	$11.250
500	$0.071	$35.500
2500	$0.061	$152.500
4000	$0.059	$236.000

재고: 6,517 PCS

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NTZD3155CT1G 일반적인 설명

Small Signal MOSFET
Complementary 20 V, 540 mA / −430 mA,
with ESD protection, SOT−563 package.

특징

Rapid On-State Current Capability
Low Gate-Source Threshold Voltage
Excellent Thermal Performance
Robust EMI Filter Design
Compliant to Standard IEC 60747-5-1

애플리케이션

High Efficiency Converters
Energy-Efficient Electronics
Custom Voltage Regulators

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Status	Active	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Configuration	N and P-Channel	FET Feature	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	540mA, 430mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	550mOhm @ 540mA, 4.5V	Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 4.5V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	150pF @ 16V
Power - Max	250mW	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Package / Case	SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package	SOT-563

배송

	배송비	리드타임
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
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포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.

우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The NTZD3155CT1G chip is a high-performance, low capacitance TVS (transient voltage suppressor) diode designed to protect sensitive electronics from voltage spikes and electrostatic discharge. It offers excellent clamping characteristics and low leakage current, making it ideal for applications such as smartphones, tablets, and portable electronics.
Equivalent

Some equivalent products of the NTZD3155CT1G chip are NDS355N, BSS139, and DMG1012.
Features

The NTZD3155CT1G is a dual, N-channel MOSFET that features a low RDS(ON) (0.014 ohms), low gate charge, fast switching speed, and a small SOT-563 surface mount package. It is suitable for use in DC-DC converters, power management, and load switches in portable devices, enabling efficient and reliable power control.
Pinout

The NTZD3155CT1G is a 6-pin MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) device. It is used for switching applications and can be controlled using a gate voltage.
Manufacturer

The manufacturer of the NTZD3155CT1G is ON Semiconductor. It is a global supplier of semiconductors, offering a wide range of solutions for various industries, including automotive, electronics, and industrial applications. ON Semiconductor designs, manufactures, and distributes semiconductor components, empowering innovations in power management, sensors, connectivity, and more.
Application Field

The NTZD3155CT1G is a dual N-Channel MOSFET commonly used in power management applications such as load, battery, and power switches, as well as in DC-DC converters and motor drivers. It is suitable for low voltage and high current applications.
Package

The NTZD3155CT1G chip has a SOT-23 package type, form factor, and size.