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MTB23P06V

Name: MTB23P06V
Brand: Onsemi
Rating: 4.8 (10 reviews)

P-CHANNEL TRANSISTOR 60V 23A D2PAK

브랜드: Onsemi

제조업체부품 #: MTB23P06V

데이터 시트: MTB23P06V 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-263-3

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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특징

On–resistance Area Product about One–half that of Standard
MOSFETs with New Low Voltage, Low RDS(on)Technology
Faster Switching than E–FET Predecessors
Features Common to TMOS V and TMOS E–FETS
Avalanche Energy Specified
IDSSand VDS(on)Specified at Elevated Temperature
Static Parameters are the Same for both TMOS V and TMOS E–FET

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	TO-263-3
Transistor Polarity	P-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V	Id - Continuous Drain Current	23 A
Rds On - Drain-Source Resistance	120 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 15 V, + 15 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	90 W	Channel Mode	Enhancement
Brand	onsemi	Configuration	Single
Fall Time	62 ns	Forward Transconductance - Min	11.5 S
Height	4.83 mm	Length	10.29 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	98.3 ns
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	41 ns
Typical Turn-On Delay Time	13.8 ns	Width	9.65 mm
Unit Weight	0.139332 oz

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부품 포인트

The MTB23P06V is a power MOSFET transistor chip designed for use in a wide range of electronic applications. It offers a low on-resistance and high switching speeds, making it ideal for power management and control in various devices. Its compact size and high efficiency make it popular in power electronics and automotive systems.
Equivalent

The equivalent products of the MTB23P06V chip are Infineon IPB23P06S3L-16, ON Semiconductor NTB23P06T4G, and Vishay Siliconix Si7856DP. These chips have similar specifications and functions as the MTB23P06V chip.
Features

- P-channel MOSFET - Maximum Drain-Source Voltage of 60V - Continuous Drain Current of 23A - Low on-resistance of 33 mΩ - TO-263 package - Suitable for applications in power management, motor control, and battery protection circuits
Pinout

The MTB23P06V is a Dual N-Channel Power MOSFET with a pin count of 8. Pin 1 is the source of the first MOSFET, while pin 8 is the source of the second MOSFET. Pins 3 and 6 are the gates of the two MOSFETs, and pins 4 and 5 are their respective drains.
Manufacturer

The manufacturer of the MTB23P06V is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a semiconductor supplier company that designs, manufactures, and markets a wide range of power and signal management, discrete, and custom devices for various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics.
Application Field

The MTB23P06V can be used in various applications including automotive, industrial, telecom, and consumer electronics. It is commonly utilized as a power MOSFET in switching circuits, motor control, power supplies, and battery management systems. Its high voltage and current ratings make it suitable for applications requiring efficient power management and control.
Package

The MTB23P06V chip is available in a TO-247 package type, with a P-channel MOSFET form. It has a size of 10mm x 24.6mm x 4.6mm.