주문 금액이
$5000MT41K512M8RH-125 IT:E
Memory chip with 4Gb capacity and 512Mx8 configuration
브랜드: Micron Technology
제조업체부품 #: MT41K512M8RH-125 IT:E
데이터 시트: MT41K512M8RH-125 IT:E 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: FBGA-78
상품 유형: 메모리
MT41K512M8RH-125 IT:E 일반적인 설명
SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gbit Parallel 800 MHz 13.75 ns 78-FBGA (9x10.5)
특징
- Extensive Diagnostic Capabilities
- Advanced Thermal Design
- Compact Size
- Ducted Cooling
- Quiet Operation
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Micron Technology | Product Category: | DRAM |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | FBGA-78 |
Series: | MT41K | Brand: | Micron |
Product Type: | DRAM |
배송
배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 | |
페덱스 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 | |
등기 항공 우편 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.
지불
지불 조건 | 핸드 수수료 | |
---|---|---|
은행 송금 | US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다. | |
페이팔 | 4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다. | |
신용 카드 | 3.5% 서비스 수수료를 부과합니다. | |
웨스턴 유니언 | charge US.00 banking fee. | |
돈 그램 | US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
보증
1. 귀하가 구입한 전자 부품에는 365일 보증이 포함되어 있으며, 우리는 제품 품질을 보장합니다.
2. 귀하가 받은 품목 중 일부가 완벽한 품질이 아닌 경우, 당사는 책임 있게 귀하의 환불 또는 교체를 준비할 것입니다. 그러나 품목은 원래 상태를 유지해야 합니다.
포장
-
단계1 :제품
-
단계2 :진공 포장
-
단계3 :정전기 방지 가방
-
단계4 :개별 포장
-
단계5 :포장 상자
-
단계6 :바코드 배송 태그
모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.
외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.
우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.
모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.
부품 포인트
-
The MT41K512M8RH-125 IT:E is a DDR3 SDRAM chip manufactured by Micron Technology. It has a capacity of 4Gb (512MB) and operates at a speed of 125MHz. This chip is commonly used in various electronic devices, including computers, servers, and networking equipment, for high-speed data processing and storage.
-
Equivalent
Some equivalent products of MT41K512M8RH-125 IT:E chip are Micron MT41K512M8RH-125:E DDR3 SDRAM, Samsung K4B2G0846D-HCFB DDR3 SDRAM, SK Hynix H5TC4G63AFR-PBA DDR3 SDRAM, and Nanya NT5CC256M16IP-DI DDR3 SDRAM. -
Pinout
The MT41K512M8RH-125 IT:E is a DDR3 SDRAM with a pin count of 78. Its primary function is as a high-speed dynamic random-access memory (DRAM) module, commonly used in computing devices for temporary data storage and retrieval. -
Manufacturer
The MT41K512M8RH-125 IT:E is manufactured by Micron Technology, Inc. Micron is a global leader in memory and storage solutions, specializing in DRAM, NAND flash, and NOR flash memory. They cater to various industries including consumer electronics, automotive, industrial, and enterprise computing. -
Application Field
The MT41K512M8RH-125 IT:E is commonly used in various applications such as high-performance computing, networking equipment, telecommunications, automotive systems, and industrial automation. Its features like high bandwidth and low power consumption make it suitable for demanding tasks in these fields. -
Package
The MT41K512M8RH-125 IT:E chip is a DDR3 SDRAM with a FBGA package, x8 organization, and 1Gbx8 configuration. It comes in a 78-ball form factor and operates at a speed grade of -125°C.
우리는 고품질 제품, 사려 깊은 서비스 및 판매 후 보증을 제공합니다.
-
우리는 풍부한 제품을 보유하고 있으며 귀하의 다양한 요구를 충족시킬 수 있습니다.
-
최소 주문 수량은 1개부터입니다.
-
최저 국제 배송비는 $0.00부터 시작됩니다
-
모든 제품에 대해 365일 품질 보증