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MT40A512M8RH-083E:B

Name: MT40A512M8RH-083E:B
Rating: 4.5 (10 reviews)

Low-power consumption for extended battery life

브랜드: Micron Technology

제조업체부품 #: MT40A512M8RH-083E:B

데이터 시트: MT40A512M8RH-083E:B 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: FBGA-78

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

상품 유형: 메모리

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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MT40A512M8RH-083E:B 일반적인 설명

Upgrade your system with the MT40A512M8RH-083E:B DDR4 SDRAM module and experience the difference in speed, efficiency, and overall system performance. Whether you're multitasking, gaming, or running memory-intensive applications, this module is designed to handle it all with ease. Trust in Micron Technology's reputation for excellence in memory solutions and invest in a product that will deliver reliable performance for years to come

특징

Power consumption as low as 1.2V possible
Differential clock inputs with high noise immunity ensured
Data transfer rate up to 2666 Mbps enabled
Data Mask for secure data transmission
Micron-precision timing control ensured

애플리케이션

Advanced telecommunications
Premium memory solutions
Industrial-grade control

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	DRAM	RoHS	Details
Type	SDRAM - DDR4	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	FBGA-78	Data Bus Width	8 bit
Organization	512 M x 8	Memory Size	4 Gbit
Maximum Clock Frequency	1.2 GHz	Supply Voltage - Max	1.26 V
Supply Voltage - Min	1.14 V	Supply Current - Max	68 mA
Minimum Operating Temperature	0 C	Maximum Operating Temperature	+ 95 C
Series	MT40A	Brand	Micron
Product Type	DRAM	Factory Pack Quantity	1260
Subcategory	Memory & Data Storage

배송

	배송비	리드타임
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포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.

우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The MT40A512M8RH-083E:B is a DDR4 SDRAM chip with a capacity of 4GB. It operates at a speed of 2400Mbps and has a voltage of 1.2V. This chip is commonly used in a variety of electronic devices to provide high-speed and efficient memory storage and retrieval.
Equivalent

The equivalent products of MT40A512M8RH-083E:B chip are Micron Technology MT40A512M8RH-083E:A, Samsung K4B4G1646E-BCK0, and SK Hynix H5TC4G83MFR-PBA. These chips have similar specifications and are compatible replacements for the MT40A512M8RH-083E:B chip.
Features

Some features of MT40A512M8RH-083E:B include its 512MB capacity, 8Gbps data rate, and 083E speed bin. It uses DDR4 SDRAM technology, operates at 1.2V voltage, and has a temperature range of -40°C to 95°C. This module is non-ECC and unbuffered, making it suitable for high-performance computing applications.
Pinout

The MT40A512M8RH-083E:B is a DDR4 SDRAM module with a 78-pin count. It has a capacity of 4 gigabits and operates at a speed of 3333 Mbps. This module is commonly used in high-performance computing systems and networking devices.
Manufacturer

Micron Technology is the manufacturer of the MT40A512M8RH-083E:B. Micron is an American multinational corporation specializing in computer memory and data storage solutions. They produce a wide range of products including DRAM, NAND, and SSDs for consumer, enterprise, and industrial applications.
Application Field

The MT40A512M8RH-083E:B is commonly used in applications such as mobile devices, automotive systems, industrial equipment, and networking devices. It is suitable for various memory-intensive tasks such as data storage, program execution, and multitasking operations. Its high performance and reliability make it ideal for a wide range of electronic devices.
Package

The MT40A512M8RH-083E:B chip comes in a 78-ball FBGA package type, with a form factor of SDRAM and a size of 512 Megabit.