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MT41K256M16TW-107:P

Name: MT41K256M16TW-107:P
Rating: 4.5 (10 reviews)

High-performance DDR memory for data-intensive applicatio

브랜드: Micron

제조업체부품 #: MT41K256M16TW-107:P

데이터 시트: MT41K256M16TW-107:P 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: FBGA-96

RoHS 상태:

재고상태: 8,001 PC, 새로운 원본

상품 유형: 메모리

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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MT41K256M16TW-107:P 일반적인 설명

The MT41K256M16TW-107:P is a high-performance DRAM module designed for use in a wide range of applications. With a memory configuration of 256M x 16bit, this DDR3L module is capable of achieving clock frequencies up to 933MHz. Its TFBGA package and surface mount technology make it easy to integrate into your designs, while its low supply voltage of 1.35V ensures efficient power consumption. This DRAM module is suitable for operation in temperatures ranging from 0 to 95 degrees Celsius, making it ideal for use in various environments. Additionally, the MT41K256M16TW-107:P is RoHS compliant, ensuring that it meets current environmental standards

특징

High-speed data transfer and storage
Operating temperature range: -40°C to 105°C
1.35V or 1.65V power supply voltage

애플리케이션

Computer use
Industrial tech
Health devices

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	DRAM	RoHS	Details
Type	SDRAM - DDR3L	Memory Size	4 Gbit
Data Bus Width	16 bit	Maximum Clock Frequency	933 MHz
Package / Case	FBGA-96	Organization	256 M x 16
Access Time	20 ns	Supply Voltage - Min	1.283 V
Supply Voltage - Max	1.45 V	Minimum Operating Temperature	0 C
Maximum Operating Temperature	+ 95 C	Series	MT41K
Brand	Micron	Moisture Sensitive	Yes
Mounting Style	SMD/SMT	Product Type	DRAM
Factory Pack Quantity	1224	Subcategory	Memory & Data Storage
Supply Current - Max	46 mA

배송

	배송비	리드타임
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페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
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보증

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포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

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우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The MT41K256M16TW-107:P is a DDR3 SDRAM chip manufactured by Micron Technology. It has a capacity of 4 Gigabits and operates at a speed of 107 MHz. This chip is commonly used in memory modules for various electronic devices such as computers, servers, and networking equipment.
Equivalent

The equivalent products of MT41K256M16TW-107:P chip are: 1. SK Hynix H5TC4G63CFR-PBA 2. Micron MT41K256M16RE-125: 3. Samsung K4B2G1646E-BCK0 4. Nanya NT5CC256M16ER-KC These chips have similar specifications, including size, density, and speed, making them suitable replacements for the MT41K256M16TW-107:P chip.
Features

- DDR3 SDRAM - 256Mb x 16 - 1.5V power supply - High speed operation: 1077 MHz - CAS latency: 11 - VDDQ voltage: 1.5V - RoHS compliant and Halogen-free - FBGA package: 96-ball / 78-ball Overall, it is a high-speed, low-power DDR3 memory module suitable for a variety of applications.
Pinout

MT41K256M16TW-107:P is a DDR3 SDRAM with a pin count of 96. It has a capacity of 4Gb and operates at a speed of 107MHz. The device is used for high-performance computing applications.
Manufacturer

MT41K256M16TW-107:P is manufactured by Micron Technology, Inc. Micron is an American multinational corporation that produces computer memory and data storage including DRAM, SDRAM, flash memory, and SSDs. They also provide semiconductor solutions for various industries including consumer, automotive, and industrial applications.
Application Field

The MT41K256M16TW-107:P DDR3 SDRAM module is commonly used in applications such as high-performance computing, networking equipment, servers, and automotive electronics. It is also suitable for use in industrial control systems, graphic cards, and other memory-intensive applications that require high bandwidth and low latency.
Package

The MT41K256M16TW-107:P chip is a DDR3 SDRAM packaged in a 96-ball FBGA form. It has a size of 0.5" x 0.5" x 0.115" (12.7mm x 12.7mm x 2.921mm).