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$5000MT40A1G8WE-075E:B
Enhance your device's memory capacity with Micron's reliability
브랜드: MICRON TECHNOLOGY INC
제조업체부품 #: MT40A1G8WE-075E:B
데이터 시트: MT40A1G8WE-075E:B 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: FBGA-78
상품 유형: 메모리
MT40A1G8WE-075E:B 일반적인 설명
Elevate your computing performance with the MT40A1G8WE-075E:B, a high-performance DDR4 SDRAM module specifically engineered for power users. With a generous 8Gb capacity and an impressive 2400 Mbps data transfer rate, this module delivers both speed and energy efficiency. Its 1.2V supply voltage ensures optimal power consumption, while the 0°C to 85°C operating temperature range makes it adaptable to various environments
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Part Life Cycle Code | Obsolete | Ihs Manufacturer | MICRON TECHNOLOGY INC |
| Package Description | FBGA-78 | Reach Compliance Code | |
| ECCN Code | EAR99 | HTS Code | 8542.32.00.36 |
| Samacsys Manufacturer | Micron | Access Mode | MULTI BANK PAGE BURST |
| Additional Feature | AUTO/SELF REFRESH | Clock Frequency-Max (fCLK) | 1333.33 MHz |
| I/O Type | COMMON | Interleaved Burst Length | 8 |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B78 | Length | 12 mm |
| Memory Density | 8589934592 bit | Memory IC Type | DDR4 DRAM |
| Memory Width | 8 | Number of Functions | 1 |
| Number of Ports | 1 | Number of Terminals | 78 |
| Number of Words | 1073741824 words | Number of Words Code | 1000000000 |
| Operating Mode | SYNCHRONOUS | Operating Temperature-Max | 95 °C |
| Operating Temperature-Min | Organization | 1GX8 | |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Code | TFBGA |
| Package Equivalence Code | BGA78,6X13,32 | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | Refresh Cycles | 8192 |
| Seated Height-Max | 1.2 mm | Self Refresh | YES |
| Sequential Burst Length | 8 | Standby Current-Max | 0.046 A |
| Supply Current-Max | 0.063 mA | Supply Voltage-Max (Vsup) | 1.26 V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 1.14 V | Supply Voltage-Nom (Vsup) | 1.2 V |
| Surface Mount | YES | Technology | CMOS |
| Temperature Grade | OTHER | Terminal Form | BALL |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | Terminal Position | BOTTOM |
| Width | 8 mm |
배송
| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
|---|---|---|---|
 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
등기 항공 우편 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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| 지불 조건 | 핸드 수수료 | |
|---|---|---|
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은행 송금 | US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
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페이팔 | 4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다. |
 |
신용 카드 | 3.5% 서비스 수수료를 부과합니다. |
 |
웨스턴 유니언 | charge US.00 banking fee. |
 |
돈 그램 | US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
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포장
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부품 포인트
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The MT40A1G8WE-075E:B chip is a 1GB DDR3 SDRAM memory module manufactured by Micron Technology. It features a 78-ball FBGA package and operates at a speed of 1066MHz. This chip is commonly used in a variety of electronic devices and offers reliable performance for memory-intensive applications.
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Equivalent
The equivalent products of MT40A1G8WE-075E:B chip are Micron MTA16ATF1G64AZ-2G3 and Samsung M378A1G43DB0-CPB chips. These are both 8GB DDR4 SDRAM chips with similar specifications and compatibility as the MT40A1G8WE-075E:B chip. -
Features
1. Model: MT40A1G8WE-075E:B 2. Density: 8Gb 3. Organization: x8 4. Voltage: 1.2V 5. Speed: 2400 Mbps 6. Interface: DDR4 SDRAM 7. Temperature: -40°C to 95°C 8. Package: FBGA 9. RoHS compliant 10. Low power consumption -
Pinout
The MT40A1G8WE-075E:B is a DDR4 SDRAM chip with a pin count of 260. It is a 8Gbit low power double data rate synchronous dynamic random-access memory organized as 1Gbit x 8, with a data transfer rate of 2133MT/s. -
Manufacturer
The manufacturer of MT40A1G8WE-075E:B is Micron Technology, Inc. Micron Technology is an American company that specializes in producing memory and storage solutions for both consumer and enterprise applications. They are one of the leading companies in the semiconductor industry, known for their innovation and reliability in producing high-quality products. -
Application Field
The MT40A1G8WE-075E:B is commonly used in consumer electronics such as smartphones, tablets, and laptops. It is also found in networking equipment, industrial applications, and automotive systems. Its high performance and reliability make it suitable for a wide range of applications requiring high-speed and low-power memory. -
Package
The MT40A1G8WE-075E:B chip is packaged in a 96-ball BGA (Ball Grid Array) form with a size of 8mm x 10mm.
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