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$5000MT29F4G08ABADAWP:D TR
High-speed, high-capacity storage for demanding applications
브랜드: Micron Technology Inc.
제조업체부품 #: MT29F4G08ABADAWP:D TR
데이터 시트: MT29F4G08ABADAWP:D TR 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: 48-TSOP I
상품 유형: 메모리
MT29F4G08ABADAWP:D TR 일반적인 설명
In conclusion, the MT29F4G08ABADAWP:D TR NAND flash memory device sets the standard for storage excellence with its superior performance, reliability, and energy efficiency. With features such as fast data transfer rates, low power consumption, and error correction capabilities, this device is the perfect choice for a wide range of electronic devices. Whether you're a consumer looking for a reliable storage solution for your smartphone or a professional seeking a durable option for industrial applications, the MT29F4G08ABADAWP:D TR is the perfect choice for all your storage needs
특징
- Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0-compliant1
- Single-level cell (SLC) technology
- Organization
- – Page size x8: 2112 bytes (2048 + 64 bytes)
- – Page size x16: 1056 words (1024 + 32 words)
- – Block size: 64 pages (128K + 4K bytes)
- – Plane size: 2 planes x 2048 blocks per plane
- – Device size: 4Gb: 4096 blocks; 8Gb: 8192 blocks 16Gb: 16,384 blocks
- Asynchronous I/O performance
- – tRC/tWC: 20ns (3.3V), 25ns (1.8V)
- Array performance
- – Read page: 25µs 3
- – Program page: 200µs (TYP: 1.8V, 3.3V)3
- – Erase block: 700µs (TYP)
- Command set: ONFI NAND Flash Protocol
- Advanced command set
- – Program page cache mode4
- – Read page cache mode 4
- – One-time programmable (OTP) mode
- – Two-plane commands 4
- – Interleaved die (LUN) operations
- – Read unique ID
- – Block lock (1.8V only)
- – Internal data move
- Operation status byte provides software method for detecting
- – Operation completion
- – Pass/fail condition
- – Write-protect status
- Ready/Busy# (R/B#) signal provides a hardware method of detecting operation completion
- WP# signal: Write protect entire device
- First block (block address 00h) is valid when ship ped from factory with ECC. For minimum required ECC, see Error Management.
- Block 0 requires 1-bit ECC if PROGRAM/ERASE cycles are less than 1000
- RESET (FFh) required as first command after power-on
- Alternate method of device initialization (Nand_In it) after power up (contact factory)
- Internal data move operations supported within the plane from which data is read
- Quality and reliability
- – Data retention: 10 years
- – Endurance: 100,000 PROGRAM/ERASE cycles
- Operating voltage range
- – VCC: 2.7–3.6V
- – VCC: 1.7–1.95V
- Operating temperature:
- – Commercial: 0°C to +70°C
- – Industrial (IT): –40ºC to +85ºC
- Package
- – 48-pin TSOP type 1, CPL2
- – 63-ball VFBGA
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Category | Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory | Mfr | Micron Technology Inc. |
Series | - | Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Product Status | Active | Programmable | Verified |
Memory Type | Non-Volatile | Memory Format | FLASH |
Technology | FLASH - NAND | Memory Size | 4Gbit |
Memory Organization | 512M x 8 | Memory Interface | Parallel |
Write Cycle Time - Word, Page | - | Voltage - Supply | 2.7V ~ 3.6V |
Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TA) | Mounting Type | Surface Mount |
Package / Case | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) | Supplier Device Package | 48-TSOP I |
Base Product Number | MT29F4G08 |
배송
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지불
지불 조건 | 핸드 수수료 | |
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