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MJD127T4G

Name: MJD127T4G
Rating: 4.5 (10 reviews)

Compact TODPAK) package ensures efficient space utilizatio

브랜드: Onsemi

제조업체부품 #: MJD127T4G

데이터 시트: MJD127T4G 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: DPAK-3

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single Bipolar Transistors

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

가격

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수량	단가	추가 가격
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10	$0.464	$4.640
30	$0.411	$12.330
100	$0.359	$35.900
500	$0.328	$164.000
1000	$0.312	$312.000

재고: 9,458 PCS

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MJD127T4G 일반적인 설명

The MJD127T4G is a PNP transistor with a surface mount mounting and 3 pins. It has a maximum operating temperature of 150°C and a collector emitter voltage of 100V. With a continuous collector current of 8A, this transistor is RoHS compliant, ensuring it meets environmental standards. The product falls within a certain range and has also been qualified for use in various applications

특징

AEC-Q101 Qualified for Automotive and Other Applications
High Current Gain hFE = 2,000 (Typ) @ IC = 3 Adc
PbFree Packages Available for RoHS Compliance and Lead-Free Soldering
Monolithic Construction Simplifies PCB Design and Reduces Component Count
Tape and Reel Packaging Available for High Volume Production and Automation
EIA-481 Qualified for High Reliability and Performance

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Status	Active	Compliance	PbAHP
Package Type	DPAK-3	Case Outline	369C
MSL Type	1	MSL Temp (°C)	260
Container Type	REEL	Container Qty.	2500
ON Target	N	Polarity	PNP
IC Continuous (A)	8	V(BR)CEO Min (V)	100
VCE(sat) Max (V)	2	hFE Min (k)	1
hFE Max (k)	12	fT Min (MHz)	4
Pricing ($/Unit)	$0.2703Sample

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DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
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포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The MJD127T4G is a voltage-controlled bipolar junction transistor (V-C-BJT) designed for low power applications. It features high current capability, low saturation voltage, and fast switching speeds. This chip is commonly used in various electronic devices, such as power supplies, industrial controls, and automotive applications, where efficient power amplification and switching functions are required.
Equivalent

Equivalent products of the MJD127T4G chip include the MJD127G, the MJD127T4 and the MJD127TR. These chips are all NPN Darlington transistors with similar specifications and can be used as alternatives to the MJD127T4G.
Features

The MJD127T4G is a high voltage NPN transistor with a current rating of 1.5A. It has a voltage rating of 100V and a power dissipation of 625mW. This transistor features a high hFE gain, fast switching speed, and low collector-emitter saturation voltage, making it suitable for various applications such as power amplification and switching.
Pinout

The MJD127T4G is a NPN Darlington transistor with a SOT-223 package. It has a pin count of 4. The pins are labeled as follows: Pin 1 (Base 2), Pin 2 (Collector), Pin 3 (Emitter 2), and Pin 4 (Emitter 1). The transistor is commonly used for amplification and switching applications in electronic circuits.
Manufacturer

The manufacturer of the MJD127T4G is ON Semiconductor. It is a global semiconductor company that designs, manufactures, and markets a wide range of semiconductor-based products for various industries, including automotive, communications, industrial, medical, and consumer electronics.
Application Field

The MJD127T4G is a high voltage Bipolar Junction Transistor (BJT) used in common emitter switching applications. Its main application areas include motor control circuits, power management, and general-purpose switching. It is designed to handle high currents and high voltages, making it suitable for various electronic devices and power systems.
Package

The MJD127T4G chip is a Darlington NPN transistor available in a SOT-223 package with three pins. The package dimensions are approximately 6.70mm x 6.30mm x 2.30mm.