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$5000MJB44H11T4G
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 10 A 50MHz 2 W Surface Mount D²PAK
브랜드: onsemi
제조업체부품 #: MJB44H11T4G
데이터 시트: MJB44H11T4G 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: D2PAK-3
상품 유형: Single Bipolar Transistors
MJB44H11T4G 일반적인 설명
The MJB44H11T4G is a high-performance power transistor designed for NPN (Negative-Positive-Negative) applications. With a collector-emitter voltage (V(br)ceo) of 80V, this transistor is capable of handling high voltage requirements in various electronic circuits. The transition frequency (ft) of 50MHz makes it ideal for fast switching applications, while the power dissipation (Pd) of 50W ensures reliable performance under heavy load conditions. With a DC collector current of 10A and a DC current gain (hFE) of 40hFE, the MJB44H11T4G provides the necessary amplification and power handling capabilities required in modern electronic devices
특징
- Compact Design Saves Space
- High Efficiency for Longer Battery Life
- Low Power Consumption Ideal for Mobile Devices
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | Bipolar Transistors - BJT |
| RoHS: | Details | Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3 | Transistor Polarity: | NPN |
| Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | - | Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1 V | Maximum DC Collector Current: | 10 A |
| Pd - Power Dissipation: | 50 W | Gain Bandwidth Product fT: | 50 MHz |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Series: | MJB44H11 | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | onsemi | Continuous Collector Current: | 10 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 60 | Height: | 4.83 mm |
| Length: | 10.29 mm | Product Type: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Factory Pack Quantity: | 800 | Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si | Width: | 9.65 mm |
| Unit Weight: | 0.050054 oz |
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부품 포인트
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The MJB44H11T4G is a high voltage, high-speed NPN transistor chip designed for use in automotive ignition systems. It offers low saturation voltage and fast switching speeds, making it ideal for applications requiring high performance and reliability. This chip is part of ON Semiconductor's wide range of power transistors for automotive and industrial applications.
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Equivalent
The equivalent products of MJB44H11T4G chip are MJB44H11T30G, MJB44H11T5G, and MJB44H11T10G. These chips have similar specifications and characteristics, making them suitable replacements for the original chip in various applications. -
Features
MJB44H11T4G is a N-channel, enhancement mode, fast switching, power MOSFET. It has a high input impedance, low on-state resistance, and is suitable for high-speed switching applications. This MOSFET is designed for use in power management applications such as motor control, power supplies, and inverters. -
Pinout
The MJB44H11T4G is a dual N-channel Power MOSFET with a total of 8 pins. It is typically used for high power and high current applications in industrial and automotive systems. The device functions as a switch to control the flow of current in electronic circuits. -
Manufacturer
MJB44H11T4G is manufactured by ON Semiconductor, a leading supplier of semiconductor-based solutions. ON Semiconductor specializes in power and signal management, discrete and custom solutions for a variety of industries including automotive, communications, consumer electronics, and industrial applications. -
Application Field
MJB44H11T4G is a high-power N-channel MOSFET suitable for applications requiring high power amplification, such as audio amplifiers, power supplies, motor control, and high-frequency converters. It can also be used in automotive and industrial applications where high current and voltage ratings are necessary. -
Package
The MJB44H11T4G chip is a Power MOSFET in a TO-263-3 package. It has a form factor of a surface-mount device with a size of 10mm x 7.6mm x 4.6mm.
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