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K4T51163QG-HCE6

Name: K4T51163QG-HCE6
Brand: Samsung Semiconductor
Rating: 4.8 (10 reviews)

Low-latency, high-capacity storage solution for data-intensive system

브랜드: Samsung Semiconductor

제조업체부품 #: K4T51163QG-HCE6

데이터 시트: K4T51163QG-HCE6 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: BGA

상품 유형: Specialized ICs

RoHS 상태:

재고상태: 6,554 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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특징

JEDEC standard VDD = 1.8V0.1V Power Supply

VDDQ = 1.8V0.1V

200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin, 333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin

4 Banks

Posted CAS

Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6

Programmable Additive Latency: 0, 1 , 2 , 3, 4 , 5

Write Latency(WL) = Read Latency(RL) -1

Burst Length: 4 , 8(Interleave/Nibble sequential)

Programmable Sequential / Interleave Burst Mode

Bi-directional Differential Data-Strobe (Single-ended data strobe is an optional feature)

Off-Chip Driver(OCD) Impedance Adjustment

On Die Termination

Special Function Support

-50ohm ODT

-High Temperature Self-Refresh rate enable

Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85C, 3.9us at 85C < TCASE < 95 C

All of products are Lead-Free, Halogen-Free, and RoHS compliant

애플리케이션

The 512Mb DDR2 SDRAM is organized as a 32Mbit x 4 I/Os x 4banks or 16Mbit x 8 I/Os x 4banks or 8Mbit x 16 I/Os x 4 banks device. This synchronous device achieves high speed double data-rate transfer rates of up to 800Mb/sec/pin (DDR2-800) for general applications.

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Case/Package	FBGA

배송

	배송비	리드타임
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
등기 항공 우편	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날

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보증

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

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우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The K4T51163QG-HCE6 is a low-power, high-speed synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) chip manufactured by Samsung. It has a capacity of 512MB and operates at a frequency of 1333MHz. The chip is commonly used in mobile devices, consumer electronics, and automotive applications due to its energy efficiency and fast data access speeds.
Equivalent

Equivalent products of K4T51163QG-HCE6 chip include MT47H64M16HR-3, W9725G6JB-25, and M471B5173BH0-YK0. These chips are DDR3 SDRAMs with similar specifications and functionalities.
Features

The K4T51163QG-HCE6 is a DDR4 SDRAM module manufactured by Samsung. It features a capacity of 8 gigabits (1 gigabyte), operates at a speed of 2400 MHz, and has a low-power design suitable for various computing applications.
Pinout

The K4T51163QG-HCE6 is a 512Mb DDR2 SDRAM with 60-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array) pin configuration. It has 60 pins and functions as a high-speed dynamic random-access memory chip for use in various electronic devices requiring fast data storage and retrieval capabilities.
Manufacturer

Samsung is the manufacturer of the K4T51163QG-HCE6. Samsung is a South Korean multinational conglomerate that specializes in various consumer electronics, including mobile phones, televisions, and memory chips. They are one of the largest technology companies in the world, known for their innovation and high-quality products.
Application Field

The K4T51163QG-HCE6 is commonly used in various electronic devices such as smartphones, tablets, laptops, and digital cameras. It serves as a memory component, particularly in systems requiring DDR4 SDRAM. Its applications span consumer electronics, computing, and communication devices, contributing to their memory and processing capabilities.
Package

The K4T51163QG-HCE6 chip comes in a 78-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array) package with a 8Gb (1G x 8) capacity. The chip is in a 17.0mm x 13.4mm x 1.15mm form factor, making it suitable for use in various electronic devices.