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K4B2G1646Q-BCK0

DDR DRAM, 128MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: SAMSUNG

제조업체부품 #: K4B2G1646Q-BCK0

데이터 시트: K4B2G1646Q-BCK0 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: FBGA96

상품 유형: 메모리

RoHS 상태:

재고상태: 6482 PC, 새로운 원본

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K4B2G1646Q-BCK0 일반적인 설명

K4B2G1646Q-BCK0 is a specific part number for a memory chip. It is a DDR3L SDRAM (Double Data Rate 3 Low Voltage Synchronous Dynamic Random Access Memory) with a capacity of 2 gigabits (256 megabytes).

특징

  • JEDEC standard 1.35V(1.28V~1.45V) & 1.5V(1.425V~1.575V) VDDQ = 1.35V(1.28V~1.45V) & 1.5V(1.425V~1.575V) 400 MHz fCK for 800Mb/sec/pin, 533MHz fCK for 1066Mb/sec/pin,  667MHz fCK for 1333Mb/sec/pin, 800MHz fCK for 1600Mb/sec/pin 900MHz fCK for 1866Mb/sec/pin 8 Banks Programmable CAS Latency(posted CAS): 5,6,7,8,9,10,11,13 Programmable Additive Latency: 0, CL-2 or CL-1 clock Programmable CAS Write Latency (CWL) = 5 (DDR3-800), 6 (DDR3-1066), 7 (DDR3-1333), 8 (DDR3-1600) and 9(DDR3-1866) 8-bit pre-fetch Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tCCD = 4 which does not allow seamless read or write [either On the fly using A12 or MRS] Bi-directional Differential Data-Strobe Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ pin (RZQ : 240 ohm ± 1%) On Die Termination using ODT pin Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85C, 3.9us at 85C

애플리케이션

  • Used in computer systems, laptops, and servers for data storage and processing
  • Suitable for use in networking equipment, such as routers and switches
  • Can be used in consumer electronics, such as smartphones and tablets, for memory expansion

명세서

매개변수 매개변수
Product Name K4B2G1646Q-BCK0 Product Type DDR3 SDRAM
Manufacturer Samsung Series K4B2G1646Q
Memory Type DDR3 SDRAM Memory Size 2Gbit
Memory Organization 256M x 16 Data Rate DDR3-1600-CL11
Interface DDR3 Voltage 1.5V
Operating Temperature 0°C ~ 85°C

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부품 포인트

  • The K4B2G1646Q-BCK0 chip is a low power, high-speed CMOS dynamic random-access memory (DRAM) chip manufactured by Samsung. It has a capacity of 2 gigabytes (GB) and operates at a frequency of 800 MHz. This chip is commonly used in various electronic devices such as smartphones, tablets, laptops, and other computing devices.
  • Equivalent

    The equivalent products of the K4B2G1646Q-BCK0 chip are: - Micron MT47H64M16HR-25E:H - Hynix H5TC4G63AFR-PBA - Samsung K4B2G1646G-BCK0 - SK hynix H5TC4G63CFR-PBA - Micron MT47H64M16HR-25E:J
  • Features

    Key features of K4B2G1646Q-BCK0 include: - 2Gb DDR3 mobile SDRAM - Operates at an ultra-fast frequency of 1066 MHz - Compatible with a wide range of mobile devices - Low power consumption to extend battery life - Can be used in various applications such as smartphones, tablets, and laptops.
  • Pinout

    The K4B2G1646Q-BCK0 is a DDR3L SDRAM with a pin count of 96 pins. It is a 2Gb memory chip with a 16-bit I/O interface. This chip is commonly used in various electronic devices such as smartphones, tablets, and laptops for system memory storage and data processing.
  • Manufacturer

    Samsung is the manufacturer of the K4B2G1646Q-BCK0. It is a South Korean multinational conglomerate company that creates a wide range of products, including electronics, semiconductors, and telecommunications equipment. Samsung is one of the leading suppliers of memory chips in the world.
  • Application Field

    The K4B2G1646Q-BCK0 is a high-density, high-performance DDR4 SDRAM module commonly used in a variety of applications such as servers, workstations, gaming PCs, networking equipment, and industrial systems. Its fast data transfer speeds and large capacity make it ideal for high-bandwidth applications that require reliable and efficient memory solutions.
  • Package

    The K4B2G1646Q-BCK0 chip comes in a 78-ball 9x11.5mm FBGA package with a DDR3 SDRAM memory form. The size of the chip is 2Gb organized as 256Mbit x 8 I/Os.

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