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K4B2G1646F-BYK0

Name: K4B2G1646F-BYK0
Rating: 4.5 (10 reviews)

DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V/1.5V 96-Pin FBGA

브랜드: SAMUNG/MICRON

제조업체부품 #: K4B2G1646F-BYK0

데이터 시트: K4B2G1646F-BYK0 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: FBGA96

상품 유형: DRAM Chip

RoHS 상태:

재고상태: 302 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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명세서

매개변수	값	매개변수	값
ECCN (US)	EAR99	Part Status	Obsolete
Automotive	No	PPAP	No
DRAM Type	DDR3L SDRAM	Chip Density (bit)	2G
Organization	128Mx16	Number of Internal Banks	8
Number of Words per Bank	16M	Number of Bits/Word (bit)	16
Data Bus Width (bit)	16	Maximum Clock Rate (MHz)	1600
Maximum Access Time (ns)	0.225	Address Bus Width (bit)	17
Minimum Operating Supply Voltage (V)	1.283\|1.425	Typical Operating Supply Voltage (V)	1.35\|1.5
Maximum Operating Supply Voltage (V)	1.45\|1.575	Operating Current (mA)	118
Minimum Operating Temperature (°C)	0	Maximum Operating Temperature (°C)	95
Supplier Temperature Grade	Commercial	Number of I/O Lines (bit)	16
Mounting	Surface Mount	Package Height	0.73
Package Width	7.5	Package Length	13.3
PCB changed	96	Standard Package Name	BGA
Supplier Package	FBGA	Pin Count	96
Lead Shape	Ball

배송

	배송비	리드타임
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
등기 항공 우편	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날

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	돈 그램	US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다.

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.

우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The K4B2G1646F-BYK0 chip is a high-performance 2Gb DDR3 SDRAM chip designed for use in various electronic devices, including computers and mobile devices. It features fast data transfer speeds, low power consumption, and reliable performance.
Equivalent

Some alternative products to the K4B2G1646F-BYK0 chip include: K4B2G1646G-BYK0, K4B2G1646F-BYJ0, K4B2G1646Q-BYK0, and K4B2G1646H-BYK0. These chips have similar specifications and performance capabilities, making them suitable replacements for the K4B2G1646F-BYK0 in various applications.
Features

- DDR4 SDRAM with 4Gb density - Speed of up to 2400Mbps - Low operating voltage of 1.2V - 78-ball FBGA package - Internal banks for concurrent operation - On-die termination for better signal integrity - RoHS compliant
Pinout

The K4B2G1646F-BYK0 is a DDR3 SDRAM with a 96-ball FBGA package. It has a 13x9 ball array with a pitch of 0.8mm and a ball size of 0.6mm. The functions of the pins include power supply, address/command inputs, data inputs/outputs, clocks, and a reset pin.
Manufacturer

The manufacturer of the K4B2G1646F-BYK0 is Samsung Electronics. Samsung Electronics is a South Korean multinational corporation that specializes in the manufacture of electronics such as smartphones, televisions, and memory components. The company is one of the largest manufacturers of memory chips in the world.
Application Field

The K4B2G1646F-BYK0 is commonly used in various electronic devices such as smartphones, tablets, digital cameras, and other portable electronic devices. It is also used in networking equipment, servers, and automotive systems to provide high-speed and reliable memory storage capabilities for efficient performance.