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K4B2G1646C-HCH9

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: SAMSUNG

제조업체부품 #: K4B2G1646C-HCH9

데이터 시트: K4B2G1646C-HCH9 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: FBGA-96

상품 유형: Memory chips

RoHS 상태:

재고상태: 7404 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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K4B2G1646C-HCH9 일반적인 설명

The 2Gb DDR3 SDRAM C-die is organized as a 16Mbit x 16 I/Os x 8 banks device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 2133Mb/sec/pin (DDR3-2133) for general applications.

특징

  • - K4B2G1646C-HCH9 is an 8 Gigabit (1 Gigabyte) DDR3 Synchronous DRAM chip.
  • - It operates at a voltage of 1.5V.
  • - The chip has a 1.6 Gbps (gigabits per second) data transfer rate.
  • - It uses a FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array) package type.

애플리케이션

  • - This DRAM chip is commonly used in various electronic devices that require fast and reliable memory storage, such as laptops, desktop computers, servers, and gaming consoles.
  • - It can also be found in smartphones, tablets, and other portable devices where low power consumption is crucial.

명세서

매개변수 매개변수
Product Name K4B2G1646C-HCH9 Product Type Memory
Manufacturer Samsung Electronics Memory Type DDR3 SDRAM
Memory Size 2GB Number of Bits 4G x 16
Speed DDR3-1600 Memory Interface Parallel
Supply Voltage 1.425V - 1.575V Operating Temperature 0°C ~ 85°C
Mounting Type Surface Mount Package / Case 96-TFBGA
Memory Organization 512M x 4 Memory Clock Frequency 800MHz
Data Rate 1600MT/s

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Fedex 페덱스 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
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포장

  • 제품

    단계1 :제품

  • 진공 포장

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  • 정전기 방지 가방

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  • 개별 포장

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  • 포장 상자

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  • 바코드 배송 태그

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  • ESD
  • ESD

등가 부품

에 대한 K4B2G1646C-HCH9 구성 요소인 경우 이러한 교체 및 대체 부품을 고려할 수 있습니다.:

부품 번호

브랜드

패키지

설명

부품 번호 :   K4B2G1646C-HCH9

브랜드 :  

패키지 :   FBGA-96

설명 :   There might not be direct equivalent parts numbers for the K4B2G1646C-HCH9, as it is a specific model made by Samsung. However, other manufacturers may produce similar DRAM chips with comparable specifications. It is recommended to consult the datasheets and specifications from different manufacturers to find suitable alternatives.

부품 포인트

  • The K4B2G1646C-HCH9 is a DDR3 SDRAM chip manufactured by Samsung. It has a capacity of 2Gb, operates at 1.35V, and has a data transfer rate of 1866Mbps. This chip is commonly used in computer systems, servers, and other electronic devices that require high-speed memory.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the K4B2G1646C-HCH9 chip are Micron MT41K512M16HA-125:E and SK Hynix H5TC4G63AFR-PBA. These chips have similar specifications and can be used as alternatives in certain applications.
  • Features

    - DDR4 SDRAM - 4Gb density - x16 organization - 1.2V power supply - High-speed operation up to 2400 MHz - Enhanced power-saving features - RoHS compliant - JEDEC standard compliance
  • Pinout

    The K4B2G1646C-HCH9 is a 96-ball FBGA package with a pin count of 78. It is a DDR3L SDRAM chip with a capacity of 2 Gbit and operates at a voltage of 1.35V. The function of this chip is to provide high-speed and high-density memory storage for various electronic devices.
  • Manufacturer

    Samsung is the manufacturer of the K4B2G1646C-HCH9. It is a South Korean multinational conglomerate corporation primarily known for its consumer electronics products, such as smartphones, TVs, and home appliances. Samsung also produces a variety of other products, including memory chips like the K4B2G1646C-HCH9 used in various electronic devices.
  • Application Field

    The K4B2G1646C-HCH9 is commonly used in various devices and applications such as smartphones, tablets, laptops, gaming consoles, and automotive infotainment systems. It is ideal for high-performance computing applications, graphics-intensive tasks, and multitasking operations due to its high storage capacity and fast data transfer speeds.
  • Package

    The K4B2G1646C-HCH9 chip comes in a 78-ball FBGA package, with a form factor of 9mm x 13mm and a size of 4Gb (512MB).

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