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K4B1G1646G-BCH9

Name: K4B1G1646G-BCH9
Rating: 4.5 (10 reviews)

DDR DRAM, 64MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA96

브랜드: SAMSUNG

제조업체부품 #: K4B1G1646G-BCH9

데이터 시트: K4B1G1646G-BCH9 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: FBGA96

상품 유형: Memory chips

RoHS 상태:

재고상태: 76 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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명세서

매개변수	값	매개변수	값
ECCN (US)	EAR99	Part Status	Obsolete
Automotive	No	PPAP	No
DRAM Type	DDR3 SDRAM	Chip Density (bit)	1G
Organization	64Mx16	Number of Internal Banks	8
Number of Words per Bank	8M	Number of Bits/Word (bit)	16
Data Bus Width (bit)	16	Maximum Clock Rate (MHz)	1333
Maximum Access Time (ns)	0.255	Address Bus Width (bit)	16
Interface Type	SSTL_1.5	Minimum Operating Supply Voltage (V)	1.425
Typical Operating Supply Voltage (V)	1.5	Maximum Operating Supply Voltage (V)	1.575
Operating Current (mA)	120	Minimum Operating Temperature (°C)	0
Maximum Operating Temperature (°C)	95	Number of I/O Lines (bit)	16
Mounting	Surface Mount	Package Height	0.75
Package Width	7.5	Package Length	13.3
PCB changed	96	Standard Package Name	BGA
Supplier Package	FBGA	Pin Count	96
Lead Shape	Ball

배송

	배송비	리드타임
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
등기 항공 우편	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날

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	웨스턴 유니언	charge US.00 banking fee.
	돈 그램	US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다.

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포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.

우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The K4B1G1646G-BCH9 chip is a 1 Gb DDR3 SDRAM component manufactured by Samsung. It is commonly used in various electronic devices such as computers, laptops, and servers to provide high-speed memory access for improved performance and efficiency.
Equivalent

The equivalent products of the K4B1G1646G-BCH9 chip are MT41K1G8SN-125 and NT5CC256M16CP-DI.
Features

K4B1G1646G-BCH9 is a DDR4 SDRAM with a capacity of 1 Gb and a speed of 2133 MHz. It operates at a low voltage of 1.2V, making it energy-efficient. This memory module is designed for use in computing devices requiring reliable and high-speed performance.
Pinout

The K4B1G1646G-BCH9 is a 78-ball FBGA DRAM chip with a 11.5mm x 13mm package size. It has a 16-bit I/O interface and operates at 1.7V to 1.95V. The pin count includes VDD, VSS, DQ, DM, CLK, CKE, CS, and more for various functions such as power, data input/output, and control signals.
Manufacturer

Samsung is the manufacturer of the K4B1G1646G-BCH9. It is a South Korean multinational conglomerate specializing in consumer electronics, semiconductors, and telecommunications equipment. Samsung is well-known for producing a wide range of electronic devices such as smartphones, televisions, and memory chips.
Application Field

The K4B1G1646G-BCH9 is commonly used in electronics such as smartphones, tablets, laptops, and gaming consoles. It is also suitable for applications in automotive electronics, industrial control systems, and network devices. The high-speed performance and low power consumption make it an ideal choice for various memory-intensive applications.
Package

The K4B1G1646G-BCH9 chip is a 78-ball FBGA package type, with a form factor of 10.8mm x 13.6mm x 1.2mm. It is a 1Gb DDR3 SDRAM chip with a size of 128 Meg x 8.