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IXRFD630

Name: IXRFD630
Rating: 4.5 (10 reviews)

Buffer/Inverter Based MOSFET Driver,

브랜드: IXYS-RF

제조업체부품 #: IXRFD630

데이터 시트: IXRFD630 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: 6-SMD,FlatLeadExposedPad

RoHS 상태:

재고상태: 6,687 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IXRFD630 일반적인 설명

DRIVER, MOSFET, 30A, DE275; Device Type:MOSFET; Module Configuration:Single; Peak Output Current:30A; Supply Voltage Min:8V; Supply Voltage Max:30V; Driver Case Style:(Not Applicable); No. of Pins:6; Input Delay:21ns; Output Delay:23ns; Operating Temperature Min:-40°C; Operating Temperature Max:85°C; MSL:-; Frequency Max:45MHz; Operating Temperature Range:-40°C to +85°C; Supply Voltage Range:8V to 30V

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Package	Tube	Product Status	Obsolete
Programmabe	Not Verified	Driven Configuration	Low-Side
Channel Type	Single	Number of Drivers	1
Gate Type	N-Channel, P-Channel MOSFET	Voltage - Supply	8V ~ 18V
Logic Voltage - VIL, VIH	0.8V, 3.5V	Current - Peak Output (Source, Sink)	30A, 30A
Input Type	Non-Inverting	Rise / Fall Time (Typ)	4ns, 4ns
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

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부품 포인트

The IXRFD630 is a high-speed, high-power RF MOSFET driver designed for applications up to 4 GHz. It features a peak output current of 1.5 A and a wide voltage range of 10-30 V. The chip is suitable for RF power amplifiers, radar systems, and other high-frequency applications that require high-speed switching capabilities.
Equivalent

Some equivalent products of the IXRFD630 chip include the IRF6839 and IRF5303 chips from Infineon Technologies, as well as the M584 chip from Microchip Technology. These chips are also high-speed gate drivers designed for high power applications.
Features

IXRFD630 is a high-speed power MOSFET driver with independent high- and low-side referenced output channels. It features 28ns propagation delay, matched propagation delays, low side output in phase with input, 5ns rise and fall times, and 3.5A peak source and sink current. It operates over a wide voltage range and is suitable for high frequency switching applications.
Pinout

The IXRFD630 is a high-speed, high power MOSFET driver with 8-pin configuration. It provides high peak output currents of up to 6A and can drive MOSFETs and IGBTs up to 600V. The pins include VCC, GND, SD, IN, LO, OUTH, OUTL, and CT.
Manufacturer

IXRFD630 is manufactured by IXYS RF, a company specializing in RF power amplifiers and RF switches for the satellite, military, and industrial markets. IXYS RF is a division of IXYS Corporation, a global semiconductor company that develops power semiconductors, advanced material technologies, and integrated circuits.
Application Field

IXRFD630 is commonly used in applications such as RF energy generators, MRI machines, plasma generators, and RF heating systems. These systems require high-speed switching of RF power to efficiently control and generate radio frequency signals for various industrial and medical applications.
Package

The IXRFD630 chip comes in a surface mount package type, Half-Bridge form, and has dimensions of 16.5mm x 11.25mm x 3.2mm.