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Infineon IRLR8259TRPBF

Advanced transistor technology for efficient power management solution

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: Infineon

제조업체부품 #: IRLR8259TRPBF

데이터 시트: IRLR8259TRPBF 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-252-3

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IRLR8259TRPBF 일반적인 설명

Infineon Technologies' IRLR8259TRPBF power MOSFET transistor is specifically designed to meet the demands of power management applications requiring high efficiency and low power dissipation. With a drain-source voltage rating of 30V and a continuous drain current rating of 48A, this MOSFET is well-suited for a wide range of applications, including power supplies, motor control, and high current circuits. Its low on-resistance of 3.5mΩ at a gate-source voltage of 10V helps to minimize power losses and improve efficiency in power conversion systems. The gate threshold voltage range of 1V to 2.5V provides flexibility in driving the MOSFET with different control circuits, making it adaptable to various design requirements. Additionally, its D-Pak package ensures good thermal performance and easy mounting to a PCB, facilitating integration into electronic systems. Furthermore, the IRLR8259TRPBF is RoHS compliant, demonstrating its adherence to environmental regulations for lead-free and hazardous material usage

특징

  • Robust and reliable performance
  • Advanced power management features
  • High-speed data processing capabilities

애플리케이션

  • Automation
  • Rail systems
  • Aerospace

명세서

매개변수 매개변수
Manufacturer: Infineon Product Category: MOSFET
Technology: Si Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: TO-252-3 Transistor Polarity: N-Channel
Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 25 V
Id - Continuous Drain Current: 57 A Rds On - Drain-Source Resistance: 10.6 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.9 V
Qg - Gate Charge: 6.8 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 175 C Pd - Power Dissipation: 48 W
Channel Mode: Enhancement Packaging: MouseReel
Brand: Infineon Technologies Configuration: Single
Fall Time: 8.9 ns Forward Transconductance - Min: 55 S
Height: 2.3 mm Length: 6.5 mm
Product Type: MOSFET Rise Time: 38 ns
Factory Pack Quantity: 2000 Subcategory: MOSFETs
Transistor Type: 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time: 9.1 ns
Typical Turn-On Delay Time: 8.4 ns Width: 6.22 mm
Unit Weight: 0.011640 oz

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부품 포인트

  • The IRLR8259TRPBF is a power MOSFET transistor chip designed for high current applications in power supplies and motor control. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for use in various power electronics applications. The chip is commonly used in industrial and automotive applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of IRLR8259TRPBF chip are IRLR8259PbF, IRLR8259PBF, IRLR8259TR, IRLR8259TRLPBF, IRLR8259-7, IRLR8259-6, IRLR8259LPBF, and IRLU8259PBF.
  • Features

    1. 3.3V Logic Level Compatible 2. Low Rds(on) 3. Reliable performance in harsh conditions 4. P-Channel power MOSFET 5. Enhanced ESD protection 6. Directly driven from microcontrollers 7. Lead (Pb)-free and RoHS compliant
  • Pinout

    The IRLR8259TRPBF is a dual N-channel power MOSFET with 8 pins. It is typically used for switching and amplification in various applications. Pin functions include gate, drain, and source connections for each of the two N-channel MOSFETs.
  • Manufacturer

    Infineon Technologies manufactures IRLR8259TRPBF. It is a German semiconductor company specializing in the development of various types of electronic components, such as power semiconductors, sensors, and microcontrollers. The company focuses on providing innovative solutions for a wide range of industries, including automotive, industrial, and consumer electronics.
  • Application Field

    IRLR8259TRPBF is commonly used in power management applications such as DC-DC converters, load switching, and motor drive circuits. It is also used in battery protection, power supply modules, and LED lighting systems due to its low on-state resistance, fast switching speed, and high current carrying capability.
  • Package

    The IRLR8259TRPBF is a MOSFET transistor chip in a D-PAK (TO-252) package with a surface mount form. It measures approximately 6.6mm x 6.2mm x 2mm (L x W x H).

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