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$5000Infineon IRL40T209ATMA1
Trans MOSFET N-CH Si 40V 586A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
브랜드: Infineon Technologies Corporation
제조업체부품 #: IRL40T209ATMA1
데이터 시트: IRL40T209ATMA1 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: PG-HSOF-8
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
IRL40T209ATMA1 일반적인 설명
N-Channel 40 V 300A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
특징
- Improved Gate and Avalanche Ruggedness
- Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
- Improved in Rating
- Pb-Free; RoHS Compliant; Hologen Free
애플리케이션
- Brushed Motor Drive Applications
- BLDC Motor Drive Applications
- Battery Powered circuits
- Half-Bridge and full-bridge topologies
- Synchronous rectifier applications
- Resonant mode power supplies
- OR-ing and redundant power switches
- DC-DC and AC-DC converters
- DC-AC Inverters
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| RHoS | yes | PBFree | yes |
| HalogenFree | yes | Manufacturer: | Infineon |
| Product Category: | MOSFET | RoHS: | Details |
| Technology: | Si | Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | HSOF-8 | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 586 A | Rds On - Drain-Source Resistance: | 720 uOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Qg - Gate Charge: | 269 nC | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 175 C | Pd - Power Dissipation: | 500 W |
| Channel Mode: | Enhancement | Packaging: | Cut Tape |
| Brand: | Infineon Technologies | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 160 ns | Forward Transconductance - Min: | 380 S |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 230 ns |
| Factory Pack Quantity: | 2000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 190 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 60 ns | Part # Aliases: | IRL40T209 SP001648026 |
| Unit Weight: | 0.027197 oz |
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