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Infineon IRGPS60B120KDP

Name: IRGPS60B120KDP
Rating: 4.5 (10 reviews)

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 105A 595W 3-Pin(3+Tab) TO-274AA Tube

브랜드: Infineon

제조업체부품 #: IRGPS60B120KDP

데이터 시트: IRGPS60B120KDP 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-274-3

상품 유형: Single IGBTs

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IRGPS60B120KDP 일반적인 설명

IGBT Housing type: SUPER-247 Collector-emitter breakdown voltage: 1200 V Collector-emitter saturation voltage: 2.5 V Current release time: 45 ns Power dissipation: 595 W

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Manufacturer:	Infineon	Product Category:	IGBT Transistors
RoHS:	Details	Technology:	Si
Package / Case:	TO-274-3	Mounting Style:	Through Hole
Configuration:	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:	2.33 V	Maximum Gate Emitter Voltage:	- 20 V, + 20 V
Continuous Collector Current at 25 C:	105 A	Pd - Power Dissipation:	595 W
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Packaging:	Tube	Brand:	Infineon Technologies
Continuous Collector Current Ic Max:	120 A	Gate-Emitter Leakage Current:	100 nA
Height:	20.3 mm	Length:	15.6 mm
Product Type:	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity:	25
Subcategory:	IGBTs	Width:	5 mm
Unit Weight:	0.223990 oz

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