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IRFS4227TRLPBF 48HRS

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET PDP Switch in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: Infineon Technologies

제조업체부품 #: IRFS4227TRLPBF

데이터 시트: IRFS4227TRLPBF 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-263-3,D2PAK(2Leads+Tab),TO-263AB

RoHS 상태:

재고상태: 5966 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IRFS4227TRLPBF 일반적인 설명

MOSFET, N-CH, 200V, 62A, TO-263AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 62A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.022ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5V; Power Dissipation Pd: 330W; Transistor Case Style: TO-263AB; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: HEXFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

특징

Advanced Process Technology

Key Parameters Optimized for PDP Sustain,

Energy Recovery and Pass Switch Applications

Low EPULSE Rating to Reduce Power

Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery

and Pass Switch Applications

Low QG for Fast Response

High Repetitive Peak Current Capability for

Reliable Operation

Short Fall & Rise Times for Fast Switching

175C Operating Junction Temperature for

Improved Ruggedness

Repetitive Avalanche Capability for Robustness

and Reliability

애플리케이션

SWITCHING

명세서

매개변수 매개변수
Series HEXFET® Product Status Active
FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 62A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4600 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 330W (Tc) Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package D2PAK
Package / Case TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

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