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$5000Infineon IRFG6110
100V Dual 2N- and 2P- Channel MOSFET in a MO-036AB package - A IRFG6110 with Hermetic Packaging Benefits
브랜드: Infineon
제조업체부품 #: IRFG6110
데이터 시트: IRFG6110 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: MO-036AB-14
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
IRFG6110 일반적인 설명
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, HERMETIC SEALED, MO-036AB, 14 PIN
특징
- Flame-retardant coating and color band identification
- Uniform coating is excellent for automatic insertion
- Available in bulk, ammo and reel pack per EIA RS/296
- Superior electrical specifications high Q and self resonant frequency, low DC resistance, high rated DC current
- TEST EQUIPMENT
- H/P 4342A Q-Meter
- Measurements Corporation Megacycle Meter, Model 59
- Whearstone bridge
- Test procedures per MIL-PRF-15305
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Infineon | Product Category: | MOSFET |
| Technology: | Si | Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | MO-036AB-14 | Number of Channels: | 4 Channel |
| Brand: | Infineon / IR | Configuration: | Quad |
| Height: | 4.44 mm | Length: | 19.3 mm |
| Product Type: | MOSFET | Subcategory: | MOSFETs |
| Width: | 7.74 mm | Configuration | Dual |
| ID max | -0.75 A | Package | MO-036AB |
| Polarity | 2N / 2P | Qualification | DLA |
| VBRDSS min | 100.0 V | QPL Part Number | 2N7336 |
| RDS (on) max | 1400.0 mΩ | Language | SPICE |
| Download Model | https://www.infineon.com/cms/dgdl/Infineon-Spice_File_IRFG6110-N-SimulationModels-v01_01-EN.spi?fileId=8ac78c8c84f2c0670184f4eab8cb0ec3 |
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부품 포인트
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The IRFG6110 chip is a gallium nitride (GaN) power transistor designed for efficient power conversion in applications such as power supplies, motor drives, and inverters. It offers high power density, low on-resistance, and fast switching characteristics, enabling improved energy efficiency and overall system performance.
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Equivalent
Equivalent products of the IRFG6110 chip include the IRFG6115, IRFG6110H, IRF6215, IRF6210, and IRFB3077PbF. These chips are all part of the IRF product family and offer similar specifications and features. -
Features
The IRFG6110 is a power MOSFET transistor designed for switching applications. It has a low on-resistance, high current capability, and fast switching speed. Additionally, it has a compact size and is capable of operating at high temperatures, making it suitable for use in various power electronic systems. -
Pinout
The IRFG6110 is a power MOSFET with a TO-262 package. It has three pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The Gate pin controls the flow of current between the Drain and Source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of the IRFG6110 is Infineon Technologies. Infineon is a German semiconductor company that specializes in the design and production of various products, including power semiconductors, microcontrollers, and sensors. They serve a wide range of industries, such as automotive technology, industrial applications, and power management. -
Application Field
The IRFG6110 is a power MOSFET that can be used in various applications, including power supply switchers, motor drives, lighting systems, solar inverters, and industrial equipment. It has a low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for high-performance power management and control applications. -
Package
The IRFG6110 chip has a TO-247AC package type, with a dual diode configuration. The form is a through-hole package with three leads. The chip has a size of 14.2mm x 20.2mm x 5.2mm.
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