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$5000Infineon IRFB23N20DPBF
High-power transistor for demanding applicatio
브랜드: Infineon Technologies Corporation
제조업체부품 #: IRFB23N20DPBF
데이터 시트: IRFB23N20DPBF Datasheet (PDF)
패키지/케이스: TO-220AB
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
IRFB23N20DPBF 일반적인 설명
The IRFB23N20DPBF power MOSFET sets a new standard in high-current applications with its impressive specifications and reliable performance. With a drain-source voltage of 200V and a continuous drain current of 23A, this MOSFET delivers exceptional power handling capabilities for various tasks. Its low on-resistance of 0.092 ohms minimizes power losses, allowing for improved efficiency and reduced operating costs. Additionally, the MOSFET's TO-220AB package ensures optimal thermal performance and high voltage insulation, making it a safe and reliable choice for demanding environments. With key specifications such as a gate threshold voltage of 2V, gate-source voltage of ±20V, and total gate charge of 40nC, the IRFB23N20DPBF offers easy control and fast switching speeds, making it a top choice for high-performance applications
특징
- RoHS Compliant
- Industry-leading quality
- Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
- Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
- Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| RHoS | yes | PBFree | yes |
| HalogenFree | yes | Manufacturer: | Infineon |
| Product Category: | MOSFET | RoHS: | Details |
| Technology: | Si | Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 24 A | Rds On - Drain-Source Resistance: | 100 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.5 V |
| Qg - Gate Charge: | 57 nC | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 175 C | Pd - Power Dissipation: | 170 W |
| Channel Mode: | Enhancement | Packaging: | Tube |
| Brand: | Infineon Technologies | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 16 ns | Forward Transconductance - Min: | 13 S |
| Height: | 15.65 mm | Length: | 10 mm |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 32 ns |
| Factory Pack Quantity: | 1000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns | Width: | 4.4 mm |
| Unit Weight: | 0.068784 oz |
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부품 포인트
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The IRFB23N20DPBF is a power MOSFET chip designed for high-speed switching and efficient power management applications. It has a drain-source voltage rating of 200V, a continuous drain current of 50A, and low on-resistance for improved performance. The chip utilizes advanced technology and features a compact design, making it suitable for various industrial and automotive applications.
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Equivalent
Some equivalent products of the IRFB23N20DPBF chip include IRF1010E, IRF540N, IRF3205, and IRFB3077. -
Features
The IRFB23N20DPBF is a power MOSFET transistor designed for high-performance switching applications. It features a low on-resistance, high current capability, and fast switching speed. It also has a built-in body diode for efficient freewheeling operation in inductive loads. -
Pinout
The IRFB23N20DPBF is a 3-pin power MOSFET. The pin count includes the gate (G), drain (D), and source (S). Its function is to control the flow of current between the drain and source terminals by the gate voltage, making it suitable for various switching applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the IRFB23N20DPBF is International Rectifier, which is a semiconductor company specializing in the design and production of power management technology. -
Application Field
The IRFB23N20DPBF is a power MOSFET typically used in applications such as motor control, power supply, and inverter circuits. -
Package
The IRFB23N20DPBF chip is in a TO-220AB package type, with a through-hole form. The package size measures approximately 10.6mm x 9.35mm x 4.57mm.
데이터 시트 PDF
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