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$5000Infineon IRF9389TRPBF
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
브랜드: Infineon Technologies Corporation
제조업체부품 #: IRF9389TRPBF
데이터 시트: IRF9389TRPBF Datasheet (PDF)
패키지/케이스: SO-8
상품 유형: FET, MOSFET Arrays
IRF9389TRPBF 일반적인 설명
The versatile IRF9389TRPBF power MOSFET transistor stands out for its exceptional power handling capabilities and performance characteristics. Whether used in industrial automation, motor control systems, or power supplies, this transistor delivers reliable operation and efficient power management. Its high drain-source voltage tolerance, combined with a continuous drain current rating of 12A, offers versatility and durability in demanding applications
특징
- Optimized for broadest availability from distribution partners
- Super logic level : Optimized for 4.5 V gate drive voltage, capable of 2.5 V gate drive voltage
- Reduced design complexity vs N-channel in high-side configuration
- Easier interface to microcontroller vs N-channel
- Industry standard surface-mount package
- Capable of being wave-soldered
애플리케이션
- DC motor drives
- Battery powered applications
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| RHoS | yes | PBFree | yes |
| HalogenFree | yes | Manufacturer: | Infineon |
| Product Category: | MOSFET | RoHS: | Details |
| Technology: | Si | Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 | Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 6.8 A, 4.6 A | Rds On - Drain-Source Resistance: | 22 mOhms, 51 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.3 V |
| Qg - Gate Charge: | 6.8 nC, 8.1 nC | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Channel Mode: | Enhancement | Tradename: | HEXFET |
| Series: | IRF939 | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | Infineon Technologies | Configuration: | Dual |
| Fall Time: | 3.9 ns, 15 ns | Forward Transconductance - Min: | 8.2 S, 4.1 S |
| Height: | 1.75 mm | Length: | 4.9 mm |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 4.8 ns, 14 ns |
| Factory Pack Quantity: | 4000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 4.9 ns, 17 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.1 ns, 8 ns | Width: | 3.9 mm |
| Unit Weight: | 0.019048 oz |
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