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Infineon IRF5803TRPBF

Name: IRF5803TRPBF
Rating: 4.5 (6 reviews)

HEXFET® Power MOSFET designed as a single P-Channel device

브랜드: Infineon Technologies Corporation

제조업체부품 #: IRF5803TRPBF

데이터 시트: IRF5803TRPBF Datasheet (PDF)

패키지/케이스: TSOP-6

RoHS 상태:

재고상태: 3,871 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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500	$0.225	$112.500
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IRF5803TRPBF 일반적인 설명

Meet the IRF5803TRPBF, a p-channel transistor suitable for various electronic applications. With a drain-source voltage (Vds) of 40V and a continuous drain current (Id) of 3.4A, this transistor offers reliable performance. The on resistance (Rds(On)) of 0.112Ohm ensures efficient power management, while its surface mount mounting adds convenience to the installation process. Additionally, the Rds(On) test voltage (Vgs) and threshold voltage (Vgs) are 10V and 3V, respectively. As a bonus, this product is RoHS compliant, reflecting its commitment to environmental responsibility

특징

Compact device footprint
High density storage
Limited power dissipation
Elevated reliability standards
Simplified system integration
Reduced electromagnetic interference

애플리케이션

Electronic devices
Power supplies
Battery chargers

명세서

매개변수	값	매개변수	값
RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes	Manufacturer:	Infineon
Product Category:	MOSFET	RoHS:	Details
Technology:	Si	Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	TSOP-6	Transistor Polarity:	P-Channel
Number of Channels:	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	40 V
Id - Continuous Drain Current:	3.4 A	Rds On - Drain-Source Resistance:	190 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Qg - Gate Charge:	25 nC	Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Pd - Power Dissipation:	1.3 W
Channel Mode:	Enhancement	Packaging:	MouseReel
Brand:	Infineon Technologies	Configuration:	Single
Height:	1.1 mm	Length:	3 mm
Product Type:	MOSFET	Factory Pack Quantity:	3000
Subcategory:	MOSFETs	Transistor Type:	1 P-Channel
Width:	1.5 mm

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단계1 :제품
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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The IRF5803TRPBF is a high-efficiency MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) chip designed for power management applications. It features a low on-state resistance and fast switching speed, making it suitable for use in a variety of electronic devices such as power supplies, motor control, and DC-DC converters.
Equivalent

Some equivalent products of the IRF5803TRPBF chip are IRF5803PBF, IRF5803MTRPBF, and IRF5803ZPBF. These are all N-channel MOSFETs with similar specifications and functionality.
Features

The features of IRF5803TRPBF include a high power MOSFET with a low on-resistance, a continuous drain current of 42A, a low gate charge, and a fast switching speed. It also has a small form factor and is suitable for high power applications such as motor control and power supplies.
Pinout

The IRF5803TRPBF is a N-channel MOSFET with a 8-pin PowerPAK SO-8 package. It is commonly used in power conversion applications. The pinout consists of Gate (G), Drain (D), and Source (S) pins, along with additional pins for the power package.
Manufacturer

IRF5803TRPBF is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer. They specialize in producing a wide range of semiconductor products, including microcontrollers, power semiconductors, sensors, and power management ICs. Infineon Technologies AG is a global company with a reputation for high-quality products and innovative technology solutions.
Application Field

IRF5803TRPBF is a power MOSFET commonly used in voltage regulation, power management, and motor control applications. It is suitable for use in DC-DC converters, voltage regulators, switching regulators, motor drives, and power supplies. This MOSFET offers high efficiency, low on-resistance, and fast switching speeds, making it ideal for various power electronics applications.
Package

The IRF5803TRPBF chip comes in a surface-mount DPAK (TO-252) package. It has a form factor of a single MOSFET transistor. The package size is 6.6 mm x 9.9 mm x 4.6 mm.