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Infineon IPL65R460CFD

MOSFET LOW POWER_LEGACY

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: Infineon Technologies Corporation

제조업체부품 #: IPL65R460CFD

데이터 시트: IPL65R460CFD 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: ThinPAK

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 2,279 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IPL65R460CFD 일반적인 설명

Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7

650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.

  • 650V technology with integrated fast body diode
  • Limited voltage overshoot during hard commutation
  • Significant Qg reduction compared to 600V CFD technology
  • Tighter RDS(on) max to RDS(on) typ window
  • Easy to design-in
  • Lower price compared to 600V CFD technology
  • Low switching losses due to low Qrr at repetitive commutation on body diode
  • Self limiting di/dt and dv/dt
  • Low Qoss
  • Reduced turn on and turn of delay times
  • Outstanding CoolMOS™ quality
  • Telecom
  • Server
  • Solar
  • HID lamp ballast
  • LED lighting
  • eMobility

특징

  • 650V technology with integrated fast body diode
  • Limited voltage overshoot during hard commutation
  • Significant Q
  • g
  • Tighter R
  • DS(on)
  • DS(on)
  • Easy to design-in
  • Lower price compared to 600V CFD technology
  • Low switching losses due to low Q
  • rr
  • Self limiting di/dt and dv/dt
  • Low Q
  • oss
  • Reduced turn on and turn of delay times
  • Outstanding CoolMOS™ quality

애플리케이션

  • Telecom
  • Server
  • Solar
  • HID lamp ballast
  • LED lighting
  • eMobility

명세서

매개변수 매개변수
IDpuls max 25.0 A VGS(th) max 4.5 V
VGS(th) min 3.5 V RthJC max 1.5 K/W
RthJA max 62.0 K/W Operating Temperature min -40.0 °C
Ptot max 83.3 W VDS max 650.0 V
Package ThinPAK 8x8 Polarity N
Mounting SMT ID max 8.3 A
RDS (on) max 460.0 mΩ

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