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Infineon IPG20N06S2L-35
Transistor with N-channel design for use in automotive circuits with high voltage and current requirements
브랜드: Infineon Technologies Corporation
제조업체부품 #: IPG20N06S2L-35
데이터 시트: IPG20N06S2L-35 Datasheet (PDF)
패키지/케이스: TDSON-8
RoHS 상태:
재고상태: 2,651 PC, 새로운 원본
상품 유형: FET, MOSFET Arrays
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| 수량 | 단가 | 추가 가격 |
|---|---|---|
| 1 | $1.730 | $1.730 |
| 10 | $1.489 | $14.890 |
| 30 | $1.337 | $40.110 |
| 100 | $1.181 | $118.100 |
| 500 | $1.111 | $555.500 |
| 1000 | $1.082 | $1082.000 |
재고: 2,651 PCS
IPG20N06S2L-35 일반적인 설명
Mosfet Array 55V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-4
특징
- Drain-Source voltage rating of 60V
- Continuous Drain Current of 20A
- Low on-state resistance (0.035ohm)
- Fast switching speed
- RoHS compliant
애플리케이션
- IRF3710ZPBF
- FDP33N25
- STP20NM60FP
- FDP20N60NZ
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | IPG20N06S2L-35 | Pbfree Code | Yes |
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Package Description | GREEN, PLASTIC, TDSON-8 |
| Pin Count | 8 | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Additional Feature | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | Avalanche Energy Rating (Eas) | 100 mJ |
| Case Connection | DRAIN | Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 55 V | Drain Current-Max (ID) | 20 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.035 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 Code | R-PDSO-F8 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 2 |
| Number of Terminals | 8 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 175 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 65 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 80 A |
| Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | TIN | Terminal Form | FLAT |
| Terminal Position | DUAL |
배송
| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
|---|---|---|---|
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부품 포인트
-
The IPG20N06S2L-35 is a power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) chip commonly used in electronic devices for switching and amplifying signals. It offers low ON-resistance and high switching speed, making it efficient for various applications like power supplies, motor control, and LED lighting.
-
Equivalent
The IPG20N06S2L-35 is a MOSFET transistor. Equivalent products include IRF3709ZS, IRF3709ZSPBF, and IPP60R190P6. These options share similar specifications and can be used interchangeably in various applications. -
Features
1. N-channel enhancement mode power MOSFET 2. Low on-resistance of 20mΩ 3. High current rating of 52A 4. Low gate charge of 20nC 5. Suitable for a wide range of applications including power supplies, motor controls, and switching circuits -
Pinout
The IPG20N06S2L-35 is a power MOSFET with 8 pins. Its functions include serving as a switch in electronic circuits, regulating power flow, and controlling electrical loads. -
Manufacturer
Infineon Technologies manufactures the IPG20N06S2L-35. It's a German semiconductor company specializing in power management, sensor solutions, and automotive electronics. Infineon is a key player in various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The IPG20N06S2L-35 is commonly used in applications such as power supplies, motor control, solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), and battery management systems. It is also suitable for use in electronic devices, electric vehicles, and industrial automation equipment. -
Package
The IPG20N06S2L-35 is a MOSFET transistor packaged in a TO-220 form factor. Its dimensions are approximately 10.4mm x 15.8mm x 4.6mm.
데이터 시트 PDF
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