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$5000Infineon IPD90N10S4L06ATMA1
Non-reeled product
브랜드: Infineon
제조업체부품 #: IPD90N10S4L06ATMA1
데이터 시트: IPD90N10S4L06ATMA1 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO-252-3
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
IPD90N10S4L06ATMA1 일반적인 설명
Ideal for applications such as motor control, power supplies, and DC-DC converters, the IPD90N10S4L06ATMA1 excels in high-current scenarios while maintaining low voltage drop and efficient power management. Its robust design and advanced features make it a top choice for engineers looking to optimize system performance and efficiency in their designs
특징
- Fast switching and high efficiency
- Low noise and thermal resistance
- Safe operating area and RoHS compliance
- Improved dv/dt capability and low gate charge
- High surge current and avalanche rating
- Excellent thermal performance and reliable operation
애플리케이션
- Powerful control
- Energy regulators
- Industrial applications
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Infineon | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | TO-252-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | Id - Continuous Drain Current: | 90 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.8 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 16 V, + 16 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V | Qg - Gate Charge: | 98 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Qualification: | AEC-Q101 | Series: | IPD90N10 |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | Infineon Technologies |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 40 ns |
| Height: | 2.3 mm | Length: | 6.5 mm |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 6 ns |
| Factory Pack Quantity: | 2500 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 42 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns | Width: | 6.22 mm |
| Part # Aliases: | IPD90N10S4L-06 SP000866562 | Unit Weight: | 0.011640 oz |
| Series | OptiMOS™ | Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6mOhm @ 90A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 90µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±16V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6250 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Grade | Automotive | Qualification | AEC-Q101 |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
|---|---|---|---|
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포장
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부품 포인트
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The IPD90N10S4L06ATMA1 is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) chip with a maximum drain current of 90A and a voltage rating of 100V. It is designed for high-power applications where efficient switching and low on-state resistance are required.
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Equivalent
The equivalent products of IPD90N10S4L06ATMA1 chip are: 1. IPD90N10S4L-06ATR 2. IPD90N10S4-06ATR 3. IPD90N10S4L-06 4. IPD90N10S4L-06 These chips are all N-channel MOSFET power transistors with similar specifications and performance characteristics. -
Features
The IPD90N10S4L06ATMA1 is a 100V, 90A N-channel power MOSFET with a low RDS(on) of 6mΩ. It has a TO-252 package with a DPAK (TO-252) style body. This MOSFET is suitable for power management applications in automotive, industrial, and consumer electronics. -
Pinout
IPD90N10S4L06ATMA1 is a 100V, 90A, N-channel power MOSFET with TO-252 packaging. It has a pin count of 3, comprising gate, drain, and source. The MOSFET is designed for applications requiring high power and efficiency, such as power supplies and motor control circuits. -
Manufacturer
IPD90N10S4L06ATMA1 is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer. Infineon specializes in developing and producing various types of semiconductors used in computing, automotive, industrial, and other applications. -
Application Field
IPD90N10S4L06ATMA1 is a power MOSFET transistor commonly used in applications requiring high power density and efficiency, such as motor control, server power supplies, DC-DC converters, and automotive systems. Its low ON resistance and fast switching capabilities make it suitable for high-frequency and high-power applications. -
Package
The IPD90N10S4L06ATMA1 chip comes in a TO-252-3 (DPAK) package, with a form of surface mount and a size of 6.7mm x 6.5mm x 1.8mm.
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