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Infineon IPD80R1K0CEATMA1

Name: IPD80R1K0CEATMA1
Brand: Infineon
Rating: 4.8 (10 reviews)

Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

브랜드: Infineon

제조업체부품 #: IPD80R1K0CEATMA1

데이터 시트: IPD80R1K0CEATMA1 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-252-3

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IPD80R1K0CEATMA1 일반적인 설명

The IPD80R1K0CEATMA1 power transistor by Infineon Technologies represents a leap forward in power conversion technology. With its 800V breakdown voltage and 1A continuous drain current, this CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET is capable of delivering high efficiency in various applications. Its low on-resistance of 1.0Ω ensures minimal power losses and greater energy savings

특징

Rugged and durable construction
Precision temperature monitoring
Fast power-up times
Compact design for space-constrained applications

애플리케이션

Automotive industry: Powertrain systems, electric vehicle charging stations
Industrial applications: Motor control, robotics, welding equipment
Renewable energy: Solar inverters, wind turbines
Home appliances: Refrigerators, air conditioners, washing machines
Telecommunications: Base station power amplifiers, RF power supplies
Medical equipment: Ultrasound machines, MRI systems
Aerospace and defense: Radar systems, missile guidance systems
Consumer electronics: Smartphones, tablets, laptops

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Manufacturer:	Infineon	Product Category:	MOSFET
RoHS:	Details	Technology:	Si
Mounting Style:	SMD/SMT	Package / Case:	TO-252-3
Transistor Polarity:	N-Channel	Number of Channels:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	800 V	Id - Continuous Drain Current:	5.7 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	950 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V	Qg - Gate Charge:	31 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	83 W	Channel Mode:	Enhancement
Tradename:	CoolMOS	Series:	CoolMOS CE
Packaging:	MouseReel	Brand:	Infineon Technologies
Configuration:	Single	Fall Time:	8 ns
Height:	2.3 mm	Length:	6.5 mm
Product Type:	MOSFET	Rise Time:	15 ns
Factory Pack Quantity:	2500	Subcategory:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time:	72 ns
Typical Turn-On Delay Time:	25 ns	Width:	6.22 mm
Part # Aliases:	IPD80R1K0CE SP001130974

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
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단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The IPD80R1K0CEATMA1 is a power MOSFET designed for use in high voltage applications up to 800V. It features a very low on-state resistance and high ruggedness, making it suitable for use in power supplies, motor drives, and lighting applications. The chip is designed to provide efficient and reliable performance in demanding circuits.
Equivalent

The equivalent products of the IPD80R1K0CEATMA1 chip are the Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs such as IPD80R1K0C7 and IPD80R1K0P7. These chips have similar specifications and performance characteristics, making them suitable replacements for the IPD80R1K0CEATMA1.
Features

The IPD80R1K0CEATMA1 is a power MOSFET transistor with a maximum voltage of 800V and a continuous drain current of 22A. It has low on-resistance, high switching speed, and low gate charge. Additionally, it is designed for applications in power supplies, motor control, and lighting.
Pinout

The IPD80R1K0CEATMA1 is a power MOSFET with a pin count of 8. It is typically used for controlling and switching high power electrical circuits in electronic devices. The specific pin functions can vary depending on the circuit design and application.
Manufacturer

Infineon Technologies AG is the manufacturer of the IPD80R1K0CEATMA1. It is a German semiconductor manufacturing company that produces a wide range of products including power semiconductors, sensors, and microcontrollers for various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics.
Application Field

The IPD80R1K0CEATMA1 is a MOSFET transistor commonly used in a wide range of applications, including power supplies, motor control, and industrial automation. Its high voltage and high current capabilities make it suitable for use in various electronic devices and systems that require efficient power management and control.
Package

The IPD80R1K0CEATMA1 chip is a power transistor packaged in a SMD form. It comes in a size of 5mm x 6mm.