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Infineon IPC100N04S5-2R8
Robust and reliable power management solutio
브랜드: Infineon Technologies Corporation
제조업체부품 #: IPC100N04S5-2R8
데이터 시트: IPC100N04S5-2R8 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TDSON-8
RoHS 상태:
재고상태: 3,122 PC, 새로운 원본
상품 유형: FET, MOSFET Arrays
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*모든 가격은 USD 단위입니다.
| 수량 | 단가 | 추가 가격 |
|---|---|---|
| 1 | $1.375 | $1.375 |
| 10 | $1.160 | $11.600 |
| 30 | $1.025 | $30.750 |
| 100 | $0.885 | $88.500 |
| 500 | $0.799 | $399.500 |
| 1000 | $0.773 | $773.000 |
재고: 3,122 PCS
Ovaga는 많은 재고를 보유하고 있습니다. IPC100N04S5-2R8 FET, MOSFET Arrays ~에서 Infineon Technologies Corporation 그리고 우리는 그들이 직접 공급되는 독창적이고 새로운 부품임을 보장합니다. Infineon Technologies Corporation 우리는 다음에 대한 품질 테스트 보고서를 제공할 수 있습니다. IPC100N04S5-2R8 귀하의 요청에 따라. 견적을 받으시려면 오른쪽의 빠른 견적 양식에 필요한 수량, 연락처 이름, 이메일 주소를 입력하시면 됩니다. 영업 담당자가 12시간 이내에 연락을 드릴 것입니다.
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Package Description | , |
| Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Samacsys Manufacturer | Infineon | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 Code | R-PDSO-F8 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 8 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | TIN | Terminal Form | FLAT |
| Terminal Position | DUAL | Transistor Element Material | SILICON |
| RthJC max | 2.0 K/W | Ptot max | 75.0 W |
| IDpuls max | 400.0 A | Qualification | Automotive |
| Package | single SS08 (PG-TDSON-8) | VDS max | 40.0 V |
| RDS (on) max | 2.8 mΩ | QG max | 34.0 nC |
| Polarity | N | ID max | 100.0 A |
| VGS(th) max | 3.4 V | Technology | OptiMOS™-5 |
| VGS(th) min | 2.2 V | Operating Temperature max | 175.0 °C |
| Operating Temperature min | -55.0 °C |
배송
| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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지불
| 지불 조건 | 핸드 수수료 | |
|---|---|---|
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은행 송금 | US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
 |
페이팔 | 4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다. |
 |
신용 카드 | 3.5% 서비스 수수료를 부과합니다. |
 |
웨스턴 유니언 | charge US.00 banking fee. |
 |
돈 그램 | US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
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포장
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부품 포인트
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The IPC100N04S5-2R8 is a power MOSFET chip commonly used in electronic devices for efficient power management. It has a low on-resistance and high current capacity, making it ideal for applications such as voltage regulation and switching circuits.
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Equivalent
Some equivalent products of the IPC100N04S5-2R8 chip are IRF1010EZ, IRFPIO3805, and FGT100N33A. These chips have similar specifications and can be used as substitutes for the IPC100N04S5-2R8 in electronic circuit applications. -
Features
- N-channel MOSFET - 100V drain-source voltage - 4A drain current - 5mΩ on-state resistance - 2.8V gate threshold voltage - Suitable for low voltage and high-speed switching applications - Ideal for use in power management and DC-DC converters -
Pinout
The IPC100N04S5-2R8 is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 8. It is commonly used in power management applications to switch and amplify signals in electronic devices. This MOSFET can handle a maximum drain current of 100A and a voltage of 40V. -
Manufacturer
The IPC100N04S5-2R8 is manufactured by Infineon Technologies, a German semiconductor manufacturer specializing in power management, automotive, and industrial applications. Infineon Technologies is a global company that provides a wide range of semiconductor solutions for a variety of industries. -
Application Field
The IPC100N04S5-2R8 is commonly used in applications such as power supplies, motor control, battery management systems, and automotive electronics. It is particularly well-suited for applications that require high power density, efficiency, and reliability due to its low on-resistance, fast switching speed, and low gate charge. -
Package
The IPC100N04S5-2R8 chip comes in a surface mount package type, with a form of a dual N-channel MOSFET. It has a size of 7.5mm x 5mm x 1mm.
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