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$5000Infineon IHW30N120R2
TO-247AD Insulated Gate Bipolar Transistor with 60A Collector Current and 1200V Breakdown Voltage, N-Channel, Green Plastic
브랜드: Infineon
제조업체부품 #: IHW30N120R2
데이터 시트: IHW30N120R2 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO-247-3
상품 유형: Single IGBTs
IHW30N120R2 일반적인 설명
IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 60 A 390 W Through Hole PG-TO247-3-1
특징
- Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage
- Body diode clamps negative voltages
- TrenchStop® and Fieldstop technology for 1200 V applications
- offers :
- - very tight parameter distribution
- - high ruggedness, temperature stable behavior
- NPT technology offers easy parallel switching capability due to
- positive temperature coefficient in VCE(sat)
- Low EMI
- Qualified according to JEDEC1 for target applications
- Pb-free lead plating; RoHS compliant
- Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Infineon | Product Category: | IGBT Transistors |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Package / Case: | TO-247-3 | Mounting Style: | Through Hole |
| Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2 V | Maximum Gate Emitter Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 30 A | Pd - Power Dissipation: | 390 W |
| Minimum Operating Temperature: | - 40 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Series: | IHW30N120 | Packaging: | Tube |
| Brand: | Infineon Technologies | Continuous Collector Current Ic Max: | 30 A |
| Height: | 20.95 mm | Length: | 15.9 mm |
| Product Type: | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity: | 240 |
| Subcategory: | IGBTs | Width: | 5.3 mm |
| Part # Aliases: | SP000212017 IHW30N120R2FKSA1 |
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