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IGW50N65H5
Product description: TO-247-3 IGBTs ROHS IGW50N65H5
브랜드: Infineon Technologies
제조업체부품 #: IGW50N65H5
데이터 시트: IGW50N65H5 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO-247-3
RoHS 상태:
재고상태: 8,610 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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|---|---|---|
| 1 | $4.182 | $4.182 |
| 10 | $3.616 | $36.160 |
| 30 | $3.281 | $98.430 |
| 100 | $2.943 | $294.300 |
| 500 | $2.786 | $1393.000 |
| 1000 | $2.716 | $2716.000 |
재고: 8,610 PCS
IGW50N65H5 일반적인 설명
Prepare to experience the unmatched power and efficiency of the IGW50N65H5. With its cutting-edge technology and superior design, this IGBT is set to revolutionize the world of power electronics. Take your applications to the next level and stay ahead of the curve with the exceptional performance and reliability of the IGW50N65H5
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Series | TrenchStop® | Package | Tube |
| Product Status | Active | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A | Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A | Power - Max | 305 W |
| Switching Energy | 520µJ (on), 180µJ (off) | Input Type | Standard |
| Gate Charge | 120 nC | Td (on/off) @ 25°C | 21ns/180ns |
| Test Condition | 400V, 25A, 12Ohm, 15V | Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
배송
| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
|---|---|---|---|
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부품 포인트
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The IGW50N65H5 is a high-voltage insulated-gate bipolar transistor (IGBT) chip that offers high efficiency and reliability for power electronics applications. It is designed for use in applications such as renewable energy, industrial motor drives, and electric vehicles. This chip features low switching loss and low conduction loss, making it suitable for high-power and high-frequency switching applications.
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Equivalent
The equivalent products of the IGW50N65H5 chip are the IRGP50B60PD1, STGW50NC60WD, and the FGY75N60PFD. These are all Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) with similar specifications and performance characteristics. -
Features
The IGW50N65H5 is a 650V, 80A IGBT (insulated gate bipolar transistor) with fast switching and low switching loss capabilities. It also features a positive temperature coefficient to help improve reliability and ruggedness in various power electronic applications. -
Pinout
The IGW50N65H5 is a 650V, 50A IGBT with a TO-247 package and a total of 3 pins. Pin 1 is the emitter, pin 2 is the collector, and pin 3 is the gate. It is designed for use in high power and high-frequency applications such as motor drives, renewable energy systems, and power supplies. -
Manufacturer
The IGW50N65H5 is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer. Infineon Technologies is a leading global technology company that offers a wide range of products and solutions in the areas of power semiconductors, sensors, and security for various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The IGW50N65H5 is commonly used in applications such as solar inverters, industrial motor drives, and welding equipment. It is also suitable for use in uninterruptible power supplies, power factor correction circuits, and various types of industrial power supplies. Its high efficiency, low switching losses, and high reliability make it an ideal choice for these applications. -
Package
The IGW50N65H5 chip is a IGBT module with a TO-247AC package type. It is a single chip in a module form, and its size is 26mm x 14mm x 5mm.
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