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ADI HMC435AMS8GE

Name: HMC435AMS8GE
Rating: 4.5 (6 reviews)

SPDT Non-Reflective Switch, DC - 4 GHz

브랜드: Analog Devices

제조업체부품 #: HMC435AMS8GE

데이터 시트: HMC435AMS8GE Datasheet (PDF)

패키지/케이스: HRH-8-1

상품 유형: RF Switches

RoHS 상태:

재고상태: 2,411 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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HMC435AMS8GE 일반적인 설명

The HMC435AMS8G(E) is a highly efficient GaAs MESFET SPDT switch designed for a wide range of applications, from cellular/3G to WiMAX/4G. With an impressive 60 dB isolation and low 0.8 dB insertion loss, this switch delivers superior performance. Additionally, it boasts a +50 dBm input IP3, making it suitable for demanding environments. The switch's power handling capabilities make it ideal for use in the 3.8 GHz WiMAX band, with a P1dB compression of +30 dBm. Its on-chip circuitry allows for precise voltage control with very low DC currents

특징

High Isolation:
- 62 dB @ 1 GHz
- 52 dB @ 2 GHz
Single Positive Control: 0/+5V

애플리케이션

Energy Distribution
Remote Monitoring
Aviation Technology

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	RF Switch ICs	RoHS	Details
Switch Configuration	SPDT	Minimum Frequency	0 Hz
Maximum Frequency	4 GHz	Insertion Loss	1.2 dB
Off Isolation - Typ	40 dB	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 85 C	Mounting Style	SMD/SMT
Technology	GaAs	Series	HMC435A
Brand	Analog Devices	High Control Voltage	5 V
Moisture Sensitive	Yes	Number of Switches	Dual
Pd - Power Dissipation	860 mW	Product Type	RF Switch ICs
Factory Pack Quantity	500	Subcategory	Wireless & RF Integrated Circuits
Unit Weight	0.004938 oz

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
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부품 포인트

The HMC435AMS8GE is a GaAs MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) absorptive single-pole, 4-throw (SP4T) switch in a compact surface-mount package. It operates from DC to 18 GHz with low insertion loss and high isolation to support a variety of RF and microwave applications. This chip provides excellent performance and reliability in communications, radar, and test and measurement systems.
Equivalent

An equivalent product of the HMC435AMS8GE chip is the HMC342AMS8GE chip, which is also a SPDT switch with similar features and performance characteristics.
Features

1. Broadband operation from DC to 30 GHz 2. Low noise figure of 1.1 dB 3. High gain of 22 dB 4. High linearity with input third order intercept of 40 dBm 5. Low power consumption of 63 mA 6. Adjustable bias current for flexible performance tuning
Pinout

The HMC435AMS8GE is a GaAs MMIC LOW NOISE AMPLIFIER designed for use in wireless infrastructure and radar systems with an operating frequency range of 2.2 to 2.8 GHz. It comes in an 8-lead MSOP package with a pin count of 8. The pin functions include Vcc, Ground, RF In, RF Out, Enable, and DC Bias.
Manufacturer

The HMC435AMS8GE is manufactured by Analog Devices Inc., which is a multinational semiconductor company specializing in data conversion and signal processing technology. Analog Devices designs and manufactures a wide range of integrated circuits used in various applications such as industrial, automotive, communications, and consumer electronics.
Application Field

The HMC435AMS8GE is commonly used in applications such as satellite communication systems, microwave point-to-point radios, radar systems, test and measurement equipment, and aerospace and defense applications. Its high linearity, low noise figure, and wide frequency range make it suitable for a wide range of RF and microwave applications.
Package

The HMC435AMS8GE chip is a surface mount package type with an MSOP-8 form factor. The size of the chip is 3mm x 3mm.