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H57V2562GTR-75C

Name: H57V2562GTR-75C
Rating: 4.5 (10 reviews)

Advanced CMOS technology ensures reliable and efficient memory acces

브랜드: Hynix

제조업체부품 #: H57V2562GTR-75C

데이터 시트: H57V2562GTR-75C 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TSOP-54

RoHS 상태:

재고상태: 5,345 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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H57V2562GTR-75C 일반적인 설명

Offering a capacity of 256Mb, the H57V2562GTR-75C DDR SDRAM chip is a top-notch product from Hynix. With its 4-bit prefetch architecture and operating frequency of 133MHz, it provides a competitive edge for users seeking high-speed data transfer and processing capabilities

특징

Fast read and write speeds
Wide operating temperature range
Compact SO-DIMM package
Compliant with JEDEC standard

애플리케이션

Efficient processes
Smart devices
Global connectivity

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Rohs Code	Yes	Part Life Cycle Code	Obsolete
Ihs Manufacturer	SK HYNIX INC	Part Package Code	TSOP2
Package Description	0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54	Pin Count	54
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8542.32.00.24
Access Mode	FOUR BANK PAGE BURST	Access Time-Max	5.4 ns
Additional Feature	AUTO/SELF REFRESH	Clock Frequency-Max (fCLK)	133 MHz
I/O Type	COMMON	Interleaved Burst Length	1,2,4,8
JESD-30 Code	R-PDSO-G54	Length	22.22 mm
Memory Density	268435456 bit	Memory IC Type	SYNCHRONOUS DRAM
Memory Width	16	Number of Functions	1
Number of Ports	1	Number of Terminals	54
Number of Words	16777216 words	Number of Words Code	16000000
Operating Mode	SYNCHRONOUS	Operating Temperature-Max	70 °C
Organization	16MX16	Output Characteristics	3-STATE
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY	Package Code	TSOP2
Package Equivalence Code	TSOP54,.46,32	Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Qualification Status	Not Qualified	Refresh Cycles	8192
Seated Height-Max	1.194 mm	Self Refresh	YES
Sequential Burst Length	1,2,4,8,FP	Standby Current-Max	0.002 A
Supply Current-Max	0.07 mA	Supply Voltage-Max (Vsup)	3.6 V
Supply Voltage-Min (Vsup)	3 V	Supply Voltage-Nom (Vsup)	3.3 V
Surface Mount	YES	Technology	CMOS
Temperature Grade	COMMERCIAL	Terminal Form	GULL WING
Terminal Pitch	0.8 mm	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED

배송

	배송비	리드타임
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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
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단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

Equivalent

Some equivalent products of H57V2562GTR-75C chip include MT48LC16M16A2P-75 and K4H573238F-UCB3. These chips are also 256Mb DDR SDRAM components with a speed rating of 75ns and are compatible with similar applications and systems.
Features

1. H57V2562GTR-75C is a 256 megabit synchronous DRAM. 2. It operates at a voltage of 3.3V. 3. It has a clock frequency of 133 MHz. 4. It offers a burst length of 1, 2, 4, or 8. 5. It has a CAS latency of 2, 3.
Pinout

The H57V2562GTR-75C is a 256Mb SDRAM chip with a pin count of 54. It functions as a high-performance memory device with a speed rating of 75ns. It is commonly used in computing applications that require fast and reliable data storage and retrieval.
Manufacturer

Hynix is the manufacturer of the H57V2562GTR-75C. Hynix is a South Korean multinational company that specializes in the production of memory semiconductors, including dynamic random-access memory (DRAM), flash memory, and solid-state drives. It is one of the leading suppliers of memory products in the world.
Application Field

The H57V2562GTR-75C is commonly used in various applications including consumer electronics, telecommunications equipment, industrial machinery, and automotive systems. Its high speed and low power consumption make it suitable for use in memory storage, data processing, and communication devices.
Package

The H57V2562GTR-75C is a memory chip in a TSOP II package with a 48-pin design. It has a form factor of 10.3 x 22.4 mm and a size of 256 megabits.