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$5000ON FFSM1265A
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 12A SIC SBD
FFSM1265A 일반적인 설명
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability to silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. Llew
특징
- Max Junction Temperature 175 °C
- Leadless Ultra-thin SMD package
- High Surge Current Capacity
- Positive Temperature Coefficient
- No Reverse Recovery / No Forward Recovery
- Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS Compliant
애플리케이션
- Telecommunication
- Cloud system
- Industrial
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | ON Semiconductor | Product Category: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| RoHS: | Y | Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | PQFN-4 |
| If - Forward Current: | 12 A | Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 650 V |
| Vf - Forward Voltage: | 1.5 V | Ifsm - Forward Surge Current: | 63 A |
| Configuration: | Single | Technology: | SiC |
| Ir - Reverse Current: | 200 uA | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 175 C | Packaging: | Reel |
| Brand: | ON Semiconductor | Pd - Power Dissipation: | 80 W |
| Product Type: | Schottky Diodes & Rectifiers | Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers | Vr - Reverse Voltage: | 650 V |
| Tags | FFSM, FFS |
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