주문 금액이
$5000
FDV305N
This 20V N-Channel MOSFET uses a high voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications.
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
브랜드: Onsemi
제조업체부품 #: FDV305N
데이터 시트: FDV305N 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: SOT-23-3
RoHS 상태:
재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*모든 가격은 USD 단위입니다.
수량 | 단가 | 추가 가격 |
---|---|---|
5 | $0.165 | $0.825 |
50 | $0.118 | $5.900 |
150 | $0.097 | $14.550 |
500 | $0.072 | $36.000 |
3000 | $0.061 | $183.000 |
6000 | $0.054 | $324.000 |
재고: 9,458 PCS
FDV305N 일반적인 설명
This 20V N-Channel MOSFET uses a high voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications.
![](/files/uploads/product/b/3b611021-fbf7-4054-a511-417560088d6f.webp)
특징
- 1.5 A, 40 V
- RDS(ON) = 150 mΩ @ VGS = 3.2 V
- High-side driver
- Fast rise and fall times
- Low power consumption
- Compliant with ISO 26262 standards
애플리케이션
- Reliable performance
- Advanced features
- Smart technology
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
Id - Continuous Drain Current | 900 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 164 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 12 V, + 12 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 600 mV |
Qg - Gate Charge | 1.5 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 350 mW |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench |
Series | FDV305N | Brand | onsemi / Fairchild |
Configuration | Single | Fall Time | 7 ns |
Forward Transconductance - Min | 3 S | Height | 1.2 mm |
Length | 2.9 mm | Product | MOSFET Small Signals |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 7 ns |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 8 ns | Typical Turn-On Delay Time | 4.5 ns |
Width | 1.3 mm | Part # Aliases | FDV305N_NL |
Unit Weight | 0.000282 oz |
배송
배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
---|---|---|---|
![]() |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
![]() |
페덱스 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
![]() |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
![]() |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
![]() |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
![]() |
등기 항공 우편 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.
지불
지불 조건 | 핸드 수수료 | |
---|---|---|
![]() |
은행 송금 | US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
![]() |
페이팔 | 4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다. |
![]() |
신용 카드 | 3.5% 서비스 수수료를 부과합니다. |
![]() |
웨스턴 유니언 | charge US.00 banking fee. |
![]() |
돈 그램 | US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
보증
1. 귀하가 구입한 전자 부품에는 365일 보증이 포함되어 있으며, 우리는 제품 품질을 보장합니다.
2. 귀하가 받은 품목 중 일부가 완벽한 품질이 아닌 경우, 당사는 책임 있게 귀하의 환불 또는 교체를 준비할 것입니다. 그러나 품목은 원래 상태를 유지해야 합니다.
포장
-
단계1 :제품
-
단계2 :진공 포장
-
단계3 :정전기 방지 가방
-
단계4 :개별 포장
-
단계5 :포장 상자
-
단계6 :바코드 배송 태그
모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.
외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.
우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.
모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.
부품 포인트
-
The FDV305N is a high-speed N-channel MOSFET transistor designed for use in switching applications in power management circuits. It has a low threshold voltage and high speed switching capabilities, making it ideal for use in various power electronic applications.
-
Equivalent
The equivalent products of FDV305N chip are FDP025N06B, STP55NE06, IPD50N06S4-08, and IRF540NSTRLPBF. -
Features
1. N-channel MOSFET with low on-resistance 2. High current handling capability of 75A 3. Low gate charge for efficient switching 4. Wide voltage range: 30V 5. Suitable for a variety of applications including power management and motor control -
Pinout
FDV305N is a N-channel MOSFET with a pin count of 3. Pin 1 is the Gate, Pin 2 is the Drain, and Pin 3 is the Source. Its main function is to control the flow of current between the Drain and Source pins by applying a voltage to the Gate pin. -
Manufacturer
FDV305N is manufactured by Toshiba Semiconductor. Toshiba Semiconductor is a Japanese multinational semiconductor and electronics company. They specialize in the development and manufacturing of a wide range of electronic components, including integrated circuits, memory devices, and power transistors. Toshiba Semiconductor is known for its high-quality and innovative products in the electronics industry. -
Application Field
Some application areas of FDV305N include industrial process control, medical equipment, automotive systems, renewable energy systems, and consumer electronics. The high efficiency and fast switching characteristics of FDV305N make it suitable for various power management applications requiring low power dissipation and compact design. -
Package
The FDV305N chip comes in an SOT-23 package, with a surface mount form. The size of the chip is 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm, making it compact and suitable for use in various electronic devices.
우리는 고품질 제품, 사려 깊은 서비스 및 판매 후 보증을 제공합니다.
-
우리는 풍부한 제품을 보유하고 있으며 귀하의 다양한 요구를 충족시킬 수 있습니다.
-
최소 주문 수량은 1개부터입니다.
-
최저 국제 배송비는 $0.00부터 시작됩니다
-
모든 제품에 대해 365일 품질 보증