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FDA20N50F
N-Channel 500 V 22A (Tc) 388W (Tc) Through Hole TO-3PN
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브랜드: ONSEMI
제조업체부품 #: FDA20N50F
데이터 시트: FDA20N50F 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO-3P-3L
RoHS 상태:
재고상태: 6,752 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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1 | $1.208 | $1.208 |
10 | $1.182 | $11.820 |
30 | $1.165 | $34.950 |
100 | $1.148 | $114.800 |
재고: 6,752 PCS
FDA20N50F 일반적인 설명
The FDA20N50F is an innovative UniFET™ MOSFET designed for high voltage applications. Its advanced planar stripe and DMOS technology not only reduces on-state resistance but also enhances switching performance and avalanche energy strength. In comparison to traditional planar MOSFETs, the UniFET FRFET® MOSFET boasts significantly improved reverse recovery performance with a t_rr of less than 100nsec and a reverse dv/dt immunity of 15V/ns. This enhanced body diode performance eliminates the need for additional components, ultimately enhancing system reliability in critical applications where the MOSFET's body diode plays a crucial role
특징
- Wide operating temperature range (-40°C to 150°C)
- Low input current ( Typ. 1mA)
- Excellent surge withstand capability
애플리케이션
- Versatile and durable product
- Excellent for multiple uses
- Ideal for a wide range of applications
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Source Content uid | FDA20N50F | Pbfree Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Obsolete | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
Package Description | TO-3PN, 3 PIN | Manufacturer Package Code | 340BZ |
Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
Factory Lead Time | 50 Weeks | Samacsys Manufacturer | onsemi |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 1110 mJ | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 500 V | Drain Current-Max (ID) | 22 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.26 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 | JESD-609 Code | e3 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | FLANGE MOUNT | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 388 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 88 A |
Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | NO |
Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form | THROUGH-HOLE |
Terminal Position | SINGLE | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
배송
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