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$5000TI CSD18510Q5B
N-Channel 40 V 300A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
브랜드: TI
제조업체부품 #: CSD18510Q5B
데이터 시트: CSD18510Q5B 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: VSON8
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
CSD18510Q5B 일반적인 설명
The CSD18510Q5B from Texas Instruments is a dual N-channel power MOSFET designed for synchronous buck converter applications in power management systems. With a voltage rating of 30V and a continuous drain current of 38A, it is suitable for moderate to high voltage levels and high-current applications. Its low on-resistance of around 3.4mΩ at a gate voltage of 10V and thermally enhanced 5x6mm SON package ensure efficient heat dissipation and compact footprint, contributing to high-efficiency power conversion. Operating over a wide temperature range of -55°C to 150°C, it provides reliable performance in various environmental conditions
특징
- High gate charge for fast switching
- Low RDS(on) for efficient power conversion
- Suitable for DC/DC converters, motor drives, and LED drivers
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| VDS (V) | 40 | Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 1.6 | Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 0.96 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 400 | QG (typ) (nC) | 118 |
| QGD (typ) (nC) | 21 | QGS (typ) (nC) | 28 |
| VGS (V) | 20 | VGSTH typ (typ) (V) | 1.7 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 300 | ID - package limited (A) | 100 |
| Logic level | Yes | Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
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부품 포인트
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The CSD18510Q5B is a power stage chip designed for high-current power delivery in automotive applications. It offers low on-resistance and high current capability, making it suitable for use in electric power steering systems and other powertrain applications. The chip has thermal shutdown protection and is offered in a compact package, making it a reliable and space-efficient choice for automotive power management.
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Features
The features of CSD18510Q5B are: 1. N-channel NexFET power MOSFET 2. Low RDS(on) for high efficiency 3. 40V drain-source voltage rating for versatility in various applications 4. Thermally enhanced package for improved heat dissipation 5. Logic-level input for easy integration with microcontrollers or other digital circuits -
Pinout
The CSD18510Q5B is a power MOSFET with a pin count of 6. It is a N-Channel device used for switching applications. It can handle a maximum drain-to-source voltage of 100V and has a low on-resistance of 18.5 mΩ. -
Manufacturer
The CSD18510Q5B is manufactured by Texas Instruments (TI), which is an American semiconductor company. TI designs and manufactures various semiconductor products, including integrated circuits, microcontrollers, digital signal processors, and more. -
Application Field
Some possible application areas of the CSD18510Q5B include power management in automotive systems, motor control, and industrial automation. The CSD18510Q5B is a power MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) that is capable of handling high currents and voltages, making it suitable for these types of applications. -
Package
The package type of the CSD18510Q5B chip is D2PAK. The chip is available in a dual MOSFET form and has a size of approximately 15mm x 10mm.
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