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TI CSD19532Q5BT

Name: CSD19532Q5BT
Rating: 4.5 (10 reviews)

VSON-8-EP(5x6) MOSFETs ROHS, designated as product CSD19532Q5BT, is recognized for its efficiency and reliability in electronic applications

브랜드: Texas Instruments

제조업체부품 #: CSD19532Q5BT

데이터 시트: CSD19532Q5BT 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: VSON-CLIP-8

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 250 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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CSD19532Q5BT 일반적인 설명

The CSD19532Q5BT from Texas Instruments is a dual N-channel NexFET power MOSFET that offers high efficiency and reliability for a wide range of power management applications. With a low on-state resistance of 30mΩ at 10V gate drive, this MOSFET allows for minimal power dissipation and the capability to handle high currents, making it ideal for demanding systems in telecom, computing, industrial, and consumer electronics

특징

Compact design for small spaces
Ergonomic handle for comfortable grip
Fast charging capability ensured
Lithium-ion battery for high capacity
User-friendly interface for easy operation
Durable construction for long lifespan

애플리케이션

Custom sound systems
Wireless headphones
Bluetooth speakers

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
REACH	Details	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	VSON-CLIP-8
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V	Id - Continuous Drain Current	100 A
Rds On - Drain-Source Resistance	4.9 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.6 V	Qg - Gate Charge	48 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	3.1 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	NexFET	Series	CSD19532Q5B
Brand	Texas Instruments	Configuration	Single
Fall Time	6 ns	Forward Transconductance - Min	84 S
Height	1 mm	Length	6 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	6 ns
Factory Pack Quantity	250	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	22 ns
Typical Turn-On Delay Time	7 ns	Width	5 mm
Unit Weight	0.003714 oz

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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The CSD19532Q5BT chip is a multi-function power management integrated circuit (PMIC) developed by Texas Instruments. It includes features like voltage regulators, load switches, and battery chargers, making it suitable for use in a wide range of portable electronic devices. The chip provides efficient power management and helps extend battery life, making it a popular choice in the industry.
Equivalent

Some equivalent products of the CSD19532Q5BT chip include the CSD18532Q5BT and the CSD18534Q5B.
Features

The CSD19532Q5BT is a NexFET Power Stage for high-current applications. It features optimized efficiency, low switching losses, compact footprint, and reliable operation. It also has a wide input voltage range, high current capability, and integrated protection features such as thermal shutdown and overcurrent protection.
Pinout

The CSD19532Q5BT is a 5V, N-channel NexFET power MOSFET. It has a pin count of 8 pins, including the gate, drain, and source pins. The function of this device is to switch and control high power loads in various applications such as power supplies, motor drives, and DC-DC converters.
Manufacturer

The manufacturer of the CSD19532Q5BT is Texas Instruments. Texas Instruments is a multinational semiconductor company that designs and manufactures a wide range of integrated circuits and electronic devices.
Application Field

The CSD19532Q5BT is a power stage IC, typically used in motor control applications such as industrial automation, robotics, and automotive systems. It offers protection features like overcurrent and overtemperature protection, making it suitable for demanding environments where high power and efficient motor control are required.
Package

The CSD19532Q5BT chip is packaged in a small outline no-lead (SON) package. It has a form factor of a quad flat no-lead (QFN) and a size of 3mm x 3mm.