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$5000CGHV1F006S
RF JFET Transistors capable of 6 Watts, GaN HEMT, operating up to 18GHz
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브랜드: MACOM Technology Solutions
제조업체부품 #: CGHV1F006S
데이터 시트: CGHV1F006S 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: 12-VFDFNExposedPad
상품 유형: RF FETs, MOSFETs
CGHV1F006S 일반적인 설명
Designed for exceptional performance in broadband amplifiers, the CGHV1F006S GaN HEMT offers a saturated output power of 6 Watts and a power gain of 11.5 dB. With a high breakdown voltage of 50 Volts and a compact footprint housed in a hermetic, metal ceramic package, this transistor is well-suited for high power applications. Equipped with input and output matching networks, it ensures easy integration into RF amplifier designs, making it a versatile choice for military communication systems, radar systems, and test equipment. Key specifications such as a gate voltage of -4 volts, drain current of 1 Amp, and input capacitance of 2.5 pF, highlight its adaptability for various applications. Moreover, its low thermal resistance of 6.1 degrees Celsius per Watt enables efficient heat dissipation, guaranteeing consistent and reliable performance
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Series | GaN | Product Status | Active |
Technology | HEMT | Frequency | 6GHz |
Gain | 16dB | Voltage - Test | 40 V |
Current Rating (Amps) | 950mA | Current - Test | 60 mA |
Power - Output | 8W | Voltage - Rated | 100 V |
Package / Case | 12-VFDFN Exposed Pad | Supplier Device Package | 12-DFN (4x3) |
Base Product Number | CGHV1 |
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