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CA3096E

Name: CA3096E
Rating: 4.5 (10 reviews)

Bipolar transistors with BJT technology

브랜드: Renesas Electronics

제조업체부품 #: CA3096E

데이터 시트: CA3096E 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: PDIP-16

상품 유형: Single Bipolar Transistors

RoHS 상태:

재고상태: 8,650 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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CA3096E 일반적인 설명

The CA3096E transistor array is a powerhouse of versatility, offering five transistors with common emitter connections in a compact 18-lead dual in-line package. With a voltage rating of 15V and a current rating of 100mA, this array is perfect for a wide range of low to medium power amplification tasks. Its tight matching of transistor characteristics ensures consistent performance, making it an excellent choice for precision circuit designs that require accurate matching. The ability to easily interconnect the transistors opens up a world of possibilities for creating complex circuit configurations like differential amplifiers, current mirrors, and voltage sources. Operating over a broad temperature range from -55°C to 125°C, the CA3096E is well-suited for various operating environments. Its low collector-to-emitter saturation voltage and high current gain further enhance its performance in amplification tasks

특징

High-speed, low-power amplifier
Fast switching, high-current transistor
Low noise, wide bandwidth operation
Multi-purpose IC for audio amplifiers
Rugged, high-reliability performance
Easy to use, flexible design

애플리케이션

Telecom interfaces
Instrument calibration
Sensor fusion technology

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Package / Case	PDIP-16
Transistor Polarity	NPN, PNP	Configuration	Quint
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V	Collector- Base Voltage VCBO	45 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Maximum DC Collector Current	50 mA
Pd - Power Dissipation	200 mW	Gain Bandwidth Product fT	335 MHz
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 125 C
Brand	Renesas / Intersil	DC Collector/Base Gain hfe Min	150 at 1 mA, 5 V
Height	4.95 mm	Length	19.68 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	7.11 mm
Unit Weight	0.057419 oz

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