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Infineon BSC009NE2LS

Name: BSC009NE2LS
Brand: Infineon Technologies Corporation
Rating: 4.8 (10 reviews)

8-pin TDSON EP package

브랜드: Infineon Technologies Corporation

제조업체부품 #: BSC009NE2LS

데이터 시트: BSC009NE2LS 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TDSON-8

RoHS 상태:

재고상태: 3,623 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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재고: 3,623 PCS

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BSC009NE2LS 일반적인 설명

N-Channel 25 V 41A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7

명세서

매개변수	값	매개변수	값
IDpuls max	1020.0 A	Ptot max	96.0 W
VDS max	25.0 V	Polarity	N
RDS (on) max	1.2 mΩ	Special Features	Wide SOA
Package	SuperSO8 5x6	ID max	255.0 A
VGS(th) max	2.2 V	VGS(th) min	1.0 V
Operating Temperature max	150.0 °C	Operating Temperature min	-55.0 °C
Series	OptiMOS™	Product Status	Active
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	25 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	41A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	126 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5800 pF @ 12 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 96W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	PG-TDSON-8-7
Package / Case	8-PowerTDFN

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DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
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단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The BSC009NE2LS is a power MOSFET chip designed for use in automotive applications. It features low on-resistance and high switching speed, making it ideal for use in power management and motor control systems. This chip is built to perform reliably in harsh environments, making it a popular choice for automotive designers looking for high-performance semiconductor solutions.
Equivalent

Some equivalent products of the BSC009NE2LS chip include the IRF540N, IRF540, IRFZ44N, and IRFB3077. These chips are also power MOSFETs commonly used for switching applications in circuits requiring high current and voltage handling capabilities.
Features

BSC009NE2LS is a high-performance IGBT module with a compact design, low switching losses, and low on-state voltage. It has an integrated temperature sensor for reliable thermal management and a flexible driving capability. It is suitable for various high-power applications such as industrial drives, renewable energy systems, and power supplies.
Pinout

The BSC009NE2LS is a 40-pin NAND flash memory device. It is commonly used in embedded applications for storing data and code. This device provides high-speed data transfer capabilities and is designed to work reliably in harsh environments.
Manufacturer

BSC009NE2LS is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor company specializing in power management and sensor systems. They are a leading player in the automotive, industrial, and consumer markets, providing advanced solutions in energy efficiency and connectivity.
Application Field

BSC009NE2LS is a silicon NPN bipolar power transistor commonly used in applications requiring high output power such as power amplification in audio systems, motor control in industrial applications, and power switching in high voltage circuits. This transistor is suitable for use in linear and saturated mode operation.
Package

The BSC009NE2LS chip is a MOSFET transistor with a TO-263-2 (D2PAK) package type. It is in a surface mount form and has a size of 10.8 mm x 12.8 mm x 4.6 mm.