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BLF642,112

Name: BLF642,112
Rating: 4.5 (10 reviews)

Meet BLF642,112 - a MOSFET solution delivering 35W power output, packaged in SOT-467C format and meeting ROHS environmental standards

브랜드: Ampleon USA Inc.

제조업체부품 #: BLF642,112

데이터 시트: BLF642,112 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT-467C

상품 유형: RF FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 8,586 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BLF642,112 일반적인 설명

The BLF642 is a high-performance RF Power Field-Effect Transistor designed for use in L Band applications. This N-Channel Silicon FET boasts superior reliability and efficiency, making it ideal for a wide range of wireless communication systems

특징

CW performance at 1300 MHz, a drain-source voltage VDSof 32 V and a quiescent drain current IDq=0.2A :
Average output power = 35 W
Power gain = 19 dB
Drain efficiency = 63 %
2-tone performance at 1300 MHz, a drain-source voltage VDSof 32 V and a quiescent drain current IDq=0.2A :
Average output power = 17.5 W
Power gain = 19 dB
Drain efficiency = 48 %
Intermodulation distortion = 28 dBc
Integrated ESD protection
Excellent ruggedness
High power gain
High efficiency
Excellent reliability
Easy power control
Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances(RoHS)

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Package	Tray	Product Status	Active
Technology	LDMOS	Frequency	1.3GHz
Gain	19dB	Voltage - Test	32 V
Current - Test	200 mA	Power - Output	35W
Voltage - Rated	65 V	Mounting Type	Chassis Mount
Package / Case	SOT-467C	Supplier Device Package	SOT467C
Base Product Number	BLF642

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단계1 :제품
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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

BLF642,112 is a high-power LDMOS RF transistor chip designed for use in high-frequency amplifiers. It offers excellent linearity, efficiency, and power capabilities, making it ideal for applications such as cellular base stations and broadcast transmitters.
Equivalent

The equivalent products of BLF642,112 chip are Freescale MRFE6VP61K25H, NXP MRF6VP61K25HR6, and NXP MRF6VP61K25HR5. These are all RF power LDMOS transistors that offer similar performance and specifications to the BLF642,112 chip.
Features

BLF642,112 is a high power RF transistor for mobile radio applications. It operates at a frequency range of 470-800 MHz with an output power of 44W. This transistor offers high efficiency, compact size, and excellent linearity, making it suitable for various mobile radio applications.
Pinout

The BLF642,112 is a RF power transistor with a pin count of 2. Pin 1 is the gate/source and Pin 2 is the drain. It is designed for use in high power RF amplifier applications in the UHF frequency range.
Manufacturer

The BLF642,112 is manufactured by NXP Semiconductors, a global semiconductor manufacturer known for its expertise in designing and producing high-performance integrated circuits used in a wide range of applications. NXP Semiconductors specializes in providing solutions for automotive, industrial, consumer, and communication markets.
Application Field

The BLF642,112 is commonly used in applications requiring high-power amplification, such as in mobile communication systems, base stations, radar systems, and industrial heating equipment. It is also suitable for use in medical applications, military communication systems, and broadcast stations due to its high efficiency and high-frequency capabilities.
Package

The BLF642,112 chip is in a SOT539A (SOT669) package. It has a surface mount form and measures 5.9mm x 4.3mm x 1.7mm in size.