이 웹사이트는 쿠키를 사용합니다. 이 사이트를 이용함으로써 귀하는 쿠키 사용에 동의하게 됩니다. 자세한 내용은 다음을 참조하세요. 개인 정보 정책.

주문 금액이

$5000
받으세요 $50 할인을 !

BC847BDW1T1G 48HRS

Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual NPN

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: onsemi

제조업체부품 #: BC847BDW1T1G

데이터 시트: BC847BDW1T1G 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SC-70-6

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

상품 유형: Bipolar Transistor Arrays

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

가격

*모든 가격은 USD 단위입니다.

수량 단가 추가 가격
10 $0.045 $0.450
100 $0.036 $3.600
300 $0.032 $9.600
3000 $0.028 $84.000
6000 $0.026 $156.000
9000 $0.024 $216.000

재고: 9,458 PCS

- +

빠른 견적

다음에 대한 RFQ를 제출해 주십시오. BC847BDW1T1G 또는 우리에게 이메일을 보내: 이메일: [email protected], 12시간 이내에 연락드리겠습니다.

BC847BDW1T1G 일반적인 설명

The BC847BDW1T1G is an exceptional Dual NPN Bipolar Transistor designed to meet the demands of general purpose amplifier applications. Its reliable performance and versatility make it a valuable component for a wide range of electronic devices. Housed in the SOT-363/SC-88, this transistor is optimized for low power surface mount applications, offering seamless integration and efficient functionality. With its compact size and high performance, the BC847BDW1T1G is an ideal choice for enhancing the capabilities of electronic products

특징

  • Packaging Information:
    Tape and Reel Specifications:
    Reel Size: 3300mm x 165mm
  • Component Orientation:
    Pin 1 Face Up
  • Weight:
    Approximate Weight per Unit: 2.5g ± 10%

명세서

매개변수 매개변수
Manufacturer: onsemi Product Category: Bipolar Transistors - BJT
RoHS: Details Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SC-70-6 Transistor Polarity: NPN
Configuration: Dual Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 45 V
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 600 mV Maximum DC Collector Current: 100 mA
Pd - Power Dissipation: 380 mW Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Series: BC847BDW1 Packaging: MouseReel
Brand: onsemi Continuous Collector Current: 100 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 200 Height: 0.9 mm
Length: 2 mm Product Type: BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity: 3000 Subcategory: Transistors
Technology: Si Width: 1.25 mm
Unit Weight: 0.000988 oz

배송

배송 유형 배송비 리드타임
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
Fedex 페덱스 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
등기 항공 우편 등기 항공 우편 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날

처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.

지불

지불 조건 핸드 수수료
은행 송금 은행 송금 US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다.
페이팔 페이팔 4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다.
신용 카드 신용 카드 3.5% 서비스 수수료를 부과합니다.
웨스턴 유니언 웨스턴 유니언 charge US.00 banking fee.
돈 그램 돈 그램 US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다.

보증

1. 귀하가 구입한 전자 부품에는 365일 보증이 포함되어 있으며, 우리는 제품 품질을 보장합니다.

2. 귀하가 받은 품목 중 일부가 완벽한 품질이 아닌 경우, 당사는 책임 있게 귀하의 환불 또는 교체를 준비할 것입니다. 그러나 품목은 원래 상태를 유지해야 합니다.

포장

  • 제품

    단계1 :제품

  • 진공 포장

    단계2 :진공 포장

  • 정전기 방지 가방

    단계3 :정전기 방지 가방

  • 개별 포장

    단계4 :개별 포장

  • 포장 상자

    단계5 :포장 상자

  • 바코드 배송 태그

    단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.

우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

  • ESD
  • ESD

부품 포인트

  • The BC847BDW1T1G chip is a NPN epitaxial silicon transistor used for general-purpose switching and amplification applications. It is housed in a SOT-363 package, making it compact and suitable for use in space-constrained designs. The transistor has a maximum collector current of 100 mA and a maximum collector-emitter voltage of 45 V. Its low voltage drop makes it energy-efficient, and it exhibits high hFE for improved gain in amplification circuits.
  • Equivalent

    Some equivalent products of BC847BDW1T1G chip include BC847B, BC847A, BC847C, BC847BW and BC847AW.
  • Features

    The BC847BDW1T1G is a NPN transistor with a maximum collector current of 100mA, a maximum collector-emitter voltage of 50V, and a maximum power dissipation of 200mW. It has a low collector-emitter saturation voltage, low power dissipation, and high current gain.
  • Pinout

    The BC847BDW1T1G is a dual NPN transistor with a SOT-363 package. It has 6 pins, with Pin 1 as the base of Transistor 1, Pin 2 as the emitter of Transistor 1, Pin 3 as the collector of Transistor 1, Pin 4 as the base of Transistor 2, Pin 5 as the emitter of Transistor 2, and Pin 6 as the collector of Transistor 2.
  • Manufacturer

    The BC847BDW1T1G is manufactured by ON Semiconductor. ON Semiconductor is a leading global semiconductor company that offers a broad portfolio of power management, analog, logic, timing, connectivity, discrete, SoC, and custom devices. They provide innovative solutions that enable designers to solve their unique design challenges in various industries including automotive, industrial, consumer, and communications.
  • Application Field

    The BC847BDW1T1G is a dual NPN transistor that is commonly used in a wide range of applications, including amplification and switching circuits. It can be found in various electronic devices and systems, such as audio amplifiers, power supplies, motor drivers, and control circuits, where low-power and high-speed performance is required.
  • Package

    The BC847BDW1T1G chip comes in a SOT-363 package type. Its form is a dual NPN general-purpose switch in a small SMD package. The package size measures approximately 2.1mm x 1.25mm x 0.78mm.

우리는 고품질 제품, 사려 깊은 서비스 및 판매 후 보증을 제공합니다.

  • 제품

    우리는 풍부한 제품을 보유하고 있으며 귀하의 다양한 요구를 충족시킬 수 있습니다.

  • quantity

    최소 주문 수량은 1개부터입니다.

  • shipping

    최저 국제 배송비는 $0.00부터 시작됩니다

  • 보장하다

    모든 제품에 대해 365일 품질 보증

평가 및 리뷰

평가
제품을 평가해주세요!
댓글을 입력해주세요

귀하의 계정에 로그인하신 후 의견을 제출해 주십시오.

제출하다

추천하다

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...