TPD4EUSB30DQAR
Quad 0.8-pF, 5.5-V, ±8-kV ESD protection diode with 5-A 8/20-uS surge rating for USB 3.0
브랜드: Texas Instruments
제조업체부품 #: TPD4EUSB30DQAR
데이터 시트: TPD4EUSB30DQAR 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: USON (DQA)-10
TPD4EUSB30DQAR 일반적인 설명
The TPD2EUSB30, TPD2EUSB30A, and TPD4EUSB30 are 2 and 4 channel Transient Voltage Suppressor (TVS) based Electrostatic Discharge (ESD) protection diode arrays. The TPDxEUSB30/A devices are rated to dissipate ESD strikes at the maximum level specified in the IEC 61000-4-2 international standard (Contact). These devices also offer 5 A (8/20 µs) peak pulse current ratings per IEC 61000-4-5 (Surge) specification.
The TPD2EUSB30A offers low 4.5-V DC break-down voltage. The low capacitance, low break-down voltage, and low dynamic resistance make the TPD2EUSB30A a superior protection device for high-speed differential IOs.
The TPD2EUSB30 and TPD2EUSB30A are offered in space saving DRT (1 mm × 1 mm) package. The TPD4EUSB30 is offered in space saving DQA (2.5 mm × 1.0 mm) package.
특징
- Supports USB 3.0 data rates (5 Gbps)
- IEC 61000-4-2 ESD protection (level 4 contact)
- IEC 61000-4-5 surge protection
- 5 A (8/20 µs)
- Low capacitance
- DRT: 0.7 pF (typical)
- DQA: 0.8 pF (typical)
- Dynamic resistance: 0.6 Ω (typical)
- Space-saving DRT, DQA packages
- Flow-through pin mapping
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Vrwm (V) | 5.5 | Bi-/uni-directional | Uni-Directional |
Number of channels | 4 | Clamping voltage (V) | 8 |
IO capacitance (typ) (pF) | 0.8 | IEC 61000-4-5 (A) | 5 |
IEC 61000-4-2 contact (±V) | 8000 | Features | ESD Protection |
Dynamic resistance (typ) | 0.6 | Interface type | USB 3.0 |
Breakdown voltage (min) (V) | 7 | IO leakage current (max) (nA) | 100 |
Rating | Catalog |
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