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TK10A60D

RoHS compliant FET for general purpose power applications

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: Toshiba

제조업체부품 #: TK10A60D

데이터 시트: TK10A60D 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-220SIS

RoHS 상태:

재고상태: 5211 PC, 새로운 원본

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TK10A60D 일반적인 설명

The TK10A60D is a silicon N-channel MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) designed for high-speed switching applications. It has a maximum drain-source voltage (Vds) of 600V and a continuous drain current (Id) rating of 10A, making it suitable for a wide range of power management applications.The TK10A60D features a low on-state resistance (Rds(on)) of 0.75 ohms, which results in reduced power dissipation and improved efficiency. This makes it ideal for use in power supply units, motor drives, and other demanding applications where high performance is required.The MOSFET is housed in a TO-220F package, which provides good thermal performance and allows for easy mounting on a printed circuit board. It also features a gate threshold voltage (Vgs) of 2-4V, ensuring compatibility with a wide range of control signals.

특징

  • 600V, 10A N-channel MOSFET
  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • High current capability
  • High power dissipation
  • High ruggedness
  • TO-220 package
  • Designed for use in high-power applications

애플리케이션

  • Power supplies
  • Motor control
  • Lighting
  • Switching power supplies
  • Electronic ballasts
  • Automotive systems

명세서

매개변수 매개변수
Product Category Toshiba

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