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ST STPSC2H12B2Y-TR
Diode 1200 V 5A Surface Mount DPAK
제조업체부품 #: STPSC2H12B2Y-TR
데이터 시트: STPSC2H12B2Y-TR 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: DPAK HV 2L
RoHS 상태:
재고상태: 2,845 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single Diodes
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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|---|---|---|
| 1 | $1.305 | $1.305 |
| 200 | $0.507 | $101.400 |
| 500 | $0.487 | $243.500 |
| 1000 | $0.480 | $480.000 |
재고: 2,845 PCS
STPSC2H12B2Y-TR 일반적인 설명
The SiC diode is an ultra high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.Especially suited for use in boot strap, snubber circuits, or clamping functions of SiC MOS-FETs, the STPSC2H12-Y diode will help designers getting the best possible performance of their controlled switches in all conditions. This rectifier will enhance the performance of the targeted application.Its improved creepage distance ensures the compatibility with industrial and automotive creepage standards.
특징
- AEC-Q101 qualified
- PPAP capable
- No or negligible reverse recovery
- High forward surge capability
- Operating Tj from -40 °C to 175 °C
- Creepage distance of 3 mm as per IEC 60664-1
- ECOPACK2 compliant component
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| feature-packaging | Tape and Reel | feature-rad-hard | |
| feature-pin-count | 3 | feature-supplier-package | DPAK-HV |
| feature-standard-package-name1 | feature-cecc-qualified | ||
| feature-esd-protection | feature-escc-qualified | ||
| feature-military | No | feature-aec-qualified | Yes |
| feature-aec-qualified-number | AEC-Q101 | feature-auto-motive | Yes |
| feature-p-pap | Yes | feature-eccn-code | EAR99 |
| feature-svhc | Yes |
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| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
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