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STGP8M120DF3

Name: STGP8M120DF3
Rating: 4.5 (10 reviews)

IGBT Trench Field Stop 1200 V 16 A Through Hole TO-220

브랜드: STMicroelectronics

제조업체부품 #: STGP8M120DF3

데이터 시트: STGP8M120DF3 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-220

상품 유형: Single IGBTs

RoHS 상태:

재고상태: 5,014 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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STGP8M120DF3 일반적인 설명

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat)temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

특징

10 µs of minimum short-circuit withstand time
V_CE(sat) = 1.85 V (typ.) @ I_C = 8 A
Tight parameter distribution
Positive V_CE(sat) temperature coefficient
Low thermal resistance
Soft and very fast recovery antiparallel diode
Maximum junction temperature: T_J = 175 °C

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Manufacturer	STMicroelectronics	Product Category	IGBT Transistors
RoHS	Details	Technology	Si
Package / Case	TO-220-3	Mounting Style	Through Hole
Configuration	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.85 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V
Continuous Collector Current at 25 C	16 A	Pd - Power Dissipation	167 W
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Series	M	Brand	STMicroelectronics
Continuous Collector Current Ic Max	8 A	Gate-Emitter Leakage Current	250 uA
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	1000
Subcategory	IGBTs

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