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STB100N10F7 TO-263-3,D2PAK(2Leads+Tab),TO-263AB

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STB100N10F7

Name: STB100N10F7
Rating: 4.5 (10 reviews)

MOSFET N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET

브랜드: STMicroelectronics

제조업체부품 #: STB100N10F7

데이터 시트: STB100N10F7 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-263-3,D2PAK(2Leads+Tab),TO-263AB

RoHS 상태:

재고상태: 9,705 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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STB100N10F7 일반적인 설명

The STB100N10F7, a N-channel Power MOSFET transistor from STMicroelectronics, is designed for high-power applications. With a maximum drain-source voltage of 100V and a continuous drain current of 74A, this device offers efficient power management and reduced losses. Its low on-state resistance of 10mΩ makes it suitable for use in various applications, including power supplies, motor control, and DC-DC converters

특징

Among the lowest R_DS(on) on the market
Excellent FoM (figure of merit)
Low C_rss/C_iss ratio for EMI immunity
High avalanche ruggedness

애플리케이션

Medical

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Series	DeepGATE™, STripFET™ VII	Product Status	Active
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	61 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4369 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)	150W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	TO-263 (D2PAK)
Package / Case	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

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부품 포인트

STB100N10F7 is a power MOSFET transistor manufactured by STMicroelectronics. It features a low on-state resistance and is suitable for high efficiency power management applications. It can handle up to 100A of continuous current and 100V of drain-source voltage. Its compact size and high performance make it ideal for a wide range of electronic devices and applications.
Equivalent

The equivalent products of STB100N10F7 chip are Infineon IPA060N10N3 G, ON Semiconductor NTD20N06L, and Powerex CM200DY-24H. These chips have similar specifications and can be used as replacements for STB100N10F7 in various applications.
Features

1. N-channel MOSFET transistor 2. 100V drain-source voltage rating 3. 9.5mΩ maximum on-state resistance 4. 170A continuous drain current 5. Suitable for high power applications 6. TO-263 (D2PAK) package 7. Fast switching capabilities 8. Low conduction losses and high efficiency
Pinout

The STB100N10F7 is a 100V, 100A N-channel Power MOSFET with a TO-263 package. It has 3 pins: Gate, Drain, and Source. The function of this MOSFET is to switch and amplify signals in electronic devices.
Manufacturer

STB100N10F7 is manufactured by STMicroelectronics, a multinational semiconductor company headquartered in Geneva, Switzerland. STMicroelectronics specializes in developing and manufacturing semiconductor products for a wide range of applications, including automotive, industrial, and consumer electronics. Their products include microcontrollers, sensors, power management solutions, and analog integrated circuits.
Application Field

The STB100N10F7 is a power MOSFET transistor commonly used in applications requiring high power handling capabilities, such as power supplies, motor control, and automotive systems. With its low on-state resistance and high current carrying capacity, it is ideal for applications requiring efficient and reliable power switching.
Package

The STB100N10F7 is a Power MOSFET transistor chip packaged in a TO-263 form with a size of 10mm x 10mm.