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QPD1006

RF JFET Transistors 450W 50V 1.2-1.4GHz GaN IMFET

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: Qorvo

제조업체부품 #: QPD1006

데이터 시트: QPD1006 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스:

상품 유형: RF FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 9,037 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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명세서

매개변수 매개변수
Manufacturer Qorvo Product Category RF JFET Transistors
RoHS Details Transistor Type HEMT
Technology GaN SiC Operating Frequency 1.2 GHz to 1.4 GHz
Gain 17.8 dB Transistor Polarity N-Channel
Id - Continuous Drain Current 14 A Output Power 450 W
Maximum Drain Gate Voltage 145 V Minimum Operating Temperature - 40 C
Maximum Operating Temperature + 85 C Pd - Power Dissipation 445 W
Mounting Style SMD/SMT Package / Case NI-50CW
Application Civilian and Military Radar Brand Qorvo
Configuration Single Development Kit QPD1006EVB3
Moisture Sensitive Yes Product Type RF JFET Transistors
Series QPD1006 Factory Pack Quantity 36
Subcategory Transistors

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