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MBR2H200SFT3G

Name: MBR2H200SFT3G
Rating: 4.5 (10 reviews)

Schottky Diodes & Rectifiers REC SOD123 2A 200V

브랜드: ONSEMI

제조업체부품 #: MBR2H200SFT3G

데이터 시트: MBR2H200SFT3G 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOD-123FL

RoHS 상태:

재고상태: 6,982 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single Diodes

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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MBR2H200SFT3G 일반적인 설명

This Schottky Rectifier, product MBR2H200SFT3G, boasts the Schottky Barrier principle, featuring a robust metal-to-silicon power diode with a large area. Specifically designed for surface mount applications requiring free-wheeling and polarity protection diodes, this rectifier prioritizes compact size and lightweight construction. The diminutive size makes it an excellent choice for incorporation into portable electronic devices, including chargers, notebook computers, and printers. Common uses for this rectifier include AC-DC and DC-DC converters, reverse battery protection, 'Oring' of multiple supply voltages, and other scenarios where performance and size are paramount

특징

Guardring for Stress Protection
Low Forward VoltageLow Forward Voltage
Epoxy Meets UL 94 V−0
Package Designed for Optimal Automated Board Assembly
These are Pb−Free Devices

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Source Content uid	MBR2H200SFT3G	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Ihs Manufacturer	ONSEMI
Part Package Code	SOD-123FL 2 LEAD	Package Description	CASE 498, 2 PIN
Manufacturer Package Code	498-01	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8541.10.00.80
Factory Lead Time	69 Weeks	Samacsys Manufacturer	onsemi
Additional Feature	FREE WHEELING DIODE	Application	GENERAL PURPOSE
Configuration	SINGLE	Diode Element Material	SILICON
Diode Type	RECTIFIER DIODE	Forward Voltage-Max (VF)	0.94 V
JESD-30 Code	R-PDSO-F2	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Non-rep Pk Forward Current-Max	30 A
Number of Elements	1	Number of Phases	1
Number of Terminals	2	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Output Current-Max	2 A
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY	Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Rep Pk Reverse Voltage-Max	200 V	Reverse Current-Max	200 µA
Surface Mount	YES	Technology	SCHOTTKY
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The MBR2H200SFT3G is a high-speed, high-efficiency Schottky diode module designed for use in power electronics applications. It has a voltage rating of 200 volts and a current rating of 2 amps, making it suitable for a variety of switching and rectification tasks. Its compact size and low forward voltage drop make it ideal for high-frequency and high-power applications.
Equivalent

The equivalent products of the MBR2H200SFT3G chip are MBR20200CTG, MBR20200CTG-A, and MBR20200CTG-A -- Schottky Diodes.
Features

- MBR2H200SFT3G is a Schottky barrier rectifier with a Vrrm of 200V - It has a high surge capability of 100A - It features a low forward voltage drop of 0.62V - The package is D-PAK (TO-252) with a surface mount design - It is suitable for high frequency switching applications
Pinout

MBR2H200SFT3G is a Schottky barrier diode with a pin count of 2. It is commonly used in rectifier applications where high efficiency and fast switching are required. The device functions as a rectifier by allowing current to flow in only one direction.
Manufacturer

MBR2H200SFT3G is manufactured by Toshiba Semiconductor. Toshiba Semiconductor is a leading multinational conglomerate company specializing in the design and manufacturing of electronic components and semiconductors for a wide range of industries, including consumer electronics, industrial, automotive, and telecommunications.
Application Field

MBR2H200SFT3G is a high power GaN transistor module commonly used in RF and microwave applications such as radar systems, satellite communications, and electronic warfare. It is suitable for use in power amplifiers, power supplies, and other high-power applications that require efficient and reliable performance.
Package

The MBR2H200SFT3G chip is a Surface Mount Schottky Power Rectifier in a TO-277A package. It has a form factor of DPAK and a size of 6.6mm x 6.8mm x 2.3mm.